del sistema de caracterización integral de semiconductores de banda ancha de grado de investigación :

Característica de productos

• Materiales probados: SiC, GaN, Ga203, AlGaN, diamante y otros semiconductores de banda prohibida ancha/ultra ancha

• Amplio rango de longitud de onda: 206/257/343/515/1030 nm (conmutación motorizada) (se puede lograr una excitación UV profunda de hasta 192 nm basándose en un láser de 800 nm)

• Funcionalidad integral: PL, Raman, SHG integrado y múltiples técnicas espectroscópicas

  
  

Presupuesto

Módulo de fluorescencia

Características	Fluorescencia en estado estacionario	Imágenes de campo amplio, espectro de emisión PL, PLI, imágenes espectrales PL
	Fluorescencia transitoria	FLIM (a través de TCSPC)
Alta velocidad	Fuentes LED	265, 310, 365 nm (seleccionable)
	Área de iluminación uniforme	>1cm²
	Resolución	>1,5 µm/píxel
	Cámara	2048 × 2048 píxeles, 6,5 μm px, sensor de 13,31 × 13,31 mm
Fuente de luz de excitación*	Módulo PSH fs-LD de 1030 nm	515 nm, 343 nm, 257 nm, 206 nm Longitud de onda (hasta 1 MHz de frecuencia de sintonización)
Rango de detección de imágenes espectrales (cámara sCMOS)		200-1000 nm (admite imágenes UV-Vis-NIR)
Rango de detección de intensidad PL (PMT)		190-870 nanómetro
Resolución espacial		Resolución de hasta 500 nm (con objetivo de inmersión en aceite de 100×)
Módulo TCSPC	FIR	≤300 puntos
	TR	≤60 ps
Traducción ciervo	Capacidad de carga	5 kilogramos
	Rango de viaje**	30 cm (X,Y)/1,5 cm (Z)
	Mín. Tamaño del paso	100 nanómetros
	Rectitud	<4 micras
	Repetibilidad bidireccional	±0,3 µm (X,Y); ±0,15 µm (Z)
	Estándar	Incluye controlador y controlador con capacidades de salida de señal síncrona

Módulo raman

Fuente de excitación	Longitud de onda de excitación	532 nm/633 nm/785 nm (otras opciones)
	Poder de excitación	>150 megavatios (532 nm)
Resolución espectral Raman		<1,5 cm⁻⊃1; (distancia focal de 300 mm, brillo de 500 nm a 1800 g/mm)
Resolución espacial	Resolución axial	<1 μm a 10 μm estenopeico; <2 μm a 50 μm estenopeico
	Resolución lateral	500 nm (100×Objetivo)
Cámara*	Tipo CMOS	BSI sCMOS
	Rango de detección	200-1000 nm
	Resolución	2048×2048 píxeles (sensor de 13,3×13,3 mm)

Módulo SHG

Longitud de onda de excitación		Láser de femtosegundo (láser de picosegundo a 1064 nm opcional)
detector de PMT	Rango de detección	190-870 nanómetro
Módulo de escaneo de alta velocidad	Tipo de escaneo	Escaneo de escenario sincronizado de alta velocidad
	Mín. Tamaño del paso	50 nanómetros
	Repetibilidad	250 nanómetros
	Velocidad	300 mm/s (máx.)
Control de polarización de excitación		Motorizado

Módulo de microscopio

Tipo de microscopio		Microscopio vertical modular expandible
Tipo de fuente de luz		sistema de iluminación LED
Modo de iluminación		Iluminación episcópica
Configuración objetiva		Objetivos de inmersión en aire/aceite 5×, 10×, 20×, 40×, 50×, 60×, 100×
Módulo de enfoque automático (opcional)	Velocidad de respuesta	40 ms
	Sensibilidad	200 nanómetros

Módulo espectrómetro

Tipo de espectrómetro		Czerny-Turner
Longitud focal		200, 300, 500 mm (seleccionable)
Dispersión lineal recíproca		2,44 nm/mm @ 435,84 nm @ rejilla de 1200 g/mm
Resolución del paso de escaneo		Rejilla de 0,02 nm a 1200 g/mm
Resolución espectral	PMT	0,08 nanómetros
	CCD (píxel de 25 μm)	0,14 nanómetros
Precisión de longitud de onda		±0,1 nm (@1200 g/mm)
Repetibilidad de longitud de onda		0,01 nm (@1200 g/mm)

Capacidades de expansión

Acondicionamiento de campo externo	Extensible a baja temperatura, alta presión y campos magnéticos externos.

Solicitud