Materiales probados: SiC, GaN, Ga203, AlGaN, diamante y otros semiconductores de banda prohibida ancha/ultra ancha.
Amplio rango de longitud de onda: 206/257/343/515/1030 nm (conmutación motorizada) (excitación UV profunda de hasta 192 nm alcanzable basándose en un láser de 800 nm)
Funcionalidad integral: PL, Raman, SHG y múltiples integrados. técnicas espectroscópicas
Amplio rango de longitud de onda: 206/257/343/515/1030 nm (conmutación motorizada) (excitación UV profunda de hasta 192 nm alcanzable basándose en un láser de 800 nm)
Funcionalidad integral: PL, Raman, SHG y múltiples integrados. técnicas espectroscópicas
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Característica de productos
Materiales probados: SiC, GaN, Ga203, AlGaN, diamante y otros semiconductores de banda prohibida ancha/ultra ancha
Amplio rango de longitud de onda: 206/257/343/515/1030 nm (conmutación motorizada) (se puede lograr una excitación UV profunda de hasta 192 nm basándose en un láser de 800 nm)
Funcionalidad integral: PL, Raman, SHG integrado y múltiples técnicas espectroscópicas
Presupuesto
Módulo de fluorescencia
| Características | Fluorescencia en estado estacionario | Imágenes de campo amplio, espectro de emisión PL, PLI, imágenes espectrales PL |
| Fluorescencia transitoria | FLIM (a través de TCSPC) | |
| Alta velocidad | Fuentes LED | 265, 310, 365 nm (seleccionable) |
| Área de iluminación uniforme | >1cm² | |
| Resolución | >1,5 µm/píxel | |
| Cámara | 2048 × 2048 píxeles, 6,5 μm px, sensor de 13,31 × 13,31 mm | |
| Fuente de luz de excitación* | Módulo PSH fs-LD de 1030 nm | 515 nm, 343 nm, 257 nm, 206 nm Longitud de onda (hasta 1 MHz de frecuencia de sintonización) |
| Rango de detección de imágenes espectrales (cámara sCMOS) | 200-1000 nm (admite imágenes UV-Vis-NIR) | |
| Rango de detección de intensidad PL (PMT) | 190-870 nanómetro | |
| Resolución espacial | Resolución de hasta 500 nm (con objetivo de inmersión en aceite de 100×) | |
| Módulo TCSPC | FIR | ≤300 puntos |
| TR | ≤60 ps | |
| Traducción ciervo | Capacidad de carga | 5 kilos |
| Rango de viaje** | 30 cm (X,Y)/1,5 cm (Z) | |
| Mín. Tamaño del paso | 100 nanómetros | |
| Rectitud | <4 micras | |
| Repetibilidad bidireccional | ±0,3 µm (X,Y); ±0,15 µm (Z) | |
| Estándar | Incluye controlador y controlador con capacidades de salida de señal síncrona | |
Módulo raman
| Fuente de excitación | Longitud de onda de excitación | 532 nm/633 nm/785 nm (otras opciones) |
| Poder de excitación | >150 megavatios (532 nm) | |
| Resolución espectral Raman | <1,5 cm⁻¹ (distancia focal de 300 mm, brillo de 500 nm a 1800 g/mm) | |
| Resolución espacial | Resolución axial | <1 μm a 10 μm estenopeico; <2 μm a 50 μm estenopeico |
| Resolución lateral | 500 nm (100×Objetivo) | |
| Cámara* | Tipo CMOS | BSI sCMOS |
| Rango de detección | 200-1000 nm | |
| Resolución | 2048×2048 píxeles (sensor de 13,3×13,3 mm) | |
Módulo SHG
| Longitud de onda de excitación | Láser de femtosegundo (láser de picosegundo a 1064 nm opcional) | |
| detector de PMT | Rango de detección | 190-870 nanómetro |
| Módulo de escaneo de alta velocidad | Tipo de escaneo | Escaneo de escenario sincronizado de alta velocidad |
| Mín. Tamaño del paso | 50 nanómetros | |
| Repetibilidad | 250 nanómetros | |
| Velocidad | 300 mm/s (máx.) | |
| Control de polarización de excitación | Motorizado | |
Módulo de microscopio
| Tipo de microscopio | Microscopio vertical modular expandible | |
| Tipo de fuente de luz | sistema de iluminación LED | |
| Modo de iluminación | Iluminación episcópica | |
| Configuración objetiva | Objetivos de inmersión en aire/aceite 5×, 10×, 20×, 40×, 50×, 60×, 100× | |
| Módulo de enfoque automático (opcional) | Velocidad de respuesta | 40 ms |
| Sensibilidad | 200 nanómetros | |
Módulo espectrómetro
| Tipo de espectrómetro | Czerny-Turner | |
| Longitud focal | 200, 300, 500 mm (seleccionable) | |
| Dispersión lineal recíproca | 2,44 nm/mm @ 435,84 nm @ rejilla de 1200 g/mm | |
| Resolución del paso de escaneo | Rejilla de 0,02 nm a 1200 g/mm | |
| Resolución espectral | PMT | 0,08 nanómetros |
| CCD (píxel de 25 μm) | 0,14 nanómetros | |
| Precisión de longitud de onda | ±0,1 nm (@1200 g/mm) | |
| Repetibilidad de longitud de onda | 0,01 nm (@1200 g/mm) | |
Capacidades de expansión
| Acondicionamiento de campo externo | Extensible a baja temperatura, alta presión y campos magnéticos externos. |
Solicitud
