ผลิตภัณฑ์ของเรา

เทคโนโลยีการตรวจสอบข้อบกพร่องของการเคลื่อนที่แบบไม่ทำลายช่วยศึกษากลไกการเติบโตของข้อบกพร่องของการเคลื่อนที่ใน SiC Crystal

ข้อบกพร่องด้านความคลาดเคลื่อนในเวเฟอร์ SiC เช่น TSD, TED และ BPD ทำให้เกิดข้อจำกัดอย่างยิ่งต่อผลผลิตและความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์ ในขณะที่กลไกการเติบโตของพวกมันยังคงไม่เข้าใจอย่างเพียงพอ งานนี้นำเสนอวิธีการตรวจสอบที่รวดเร็วและไม่ทำลายโดยอาศัยสเปกโทรสโกปีการดูดกลืนแสงชั่วคราวและอัลกอริธึม AI เพื่อการตรวจจับและการจำแนกข้อบกพร่องที่แม่นยำ การศึกษานี้เผยให้เห็นรูปแบบการเติบโตที่แตกต่างกันของการเคลื่อนที่ของเกลียว และระบุความสัมพันธ์ของการเปลี่ยนแปลงระหว่างการเคลื่อนที่และข้อบกพร่องของระนาบฐาน การค้นพบนี้ให้ข้อมูลเชิงลึกใหม่ๆ เกี่ยวกับการเติบโตของคริสตัล SiC และสนับสนุนการควบคุมข้อบกพร่องและคุณภาพเวเฟอร์ที่ดีขึ้นในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

TTS เปิดตัวการอัปเกรดอย่างครอบคลุมของระบบการถ่ายภาพตลอดอายุการใช้งาน SiC Wafer Minority Carrier – TAU-9000

เข้าร่วมกับเราที่ ACS 2026