DISSPEC-9000 Automatisches, zerstörungsfreies SiC-Substrat-Versetzungsdefekt-Inspektionssystem
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des automatischen, zerstörungsfreien SiC-Substrat-Versetzungsdefekt-Inspektionssystems DISPEC-9000 :

Verfügbarkeit
Das auf dem fortschrittlichen Pump-Probe-Reflexionsprinzip basierende DISPEC-9000 ermöglicht eine schnelle optische zerstörungsfreie Inspektion von 6-, 8- und 12-Zoll-SiC-Substraten. Es identifiziert genau drei kritische Versetzungstypen (TSD, TED, BPD) und erkennt gleichzeitig SF, MP, Kohlenstoffeinschlüsse und polykristalline Defekte. Das System unterstützt die beidseitige Inspektion von Si- und C-Flächen. Der Inspektionsdurchsatz ist äußerst effizient: 4–5 Wafer pro Stunde für 6 Zoll, 2–3 Wafer pro Stunde für 8 Zoll und etwa 1 Stunde pro Wafer für 12 Zoll (manuelles Laden).

Ausgestattet mit KI-gestützten Algorithmen unterstützt DISPEC-9000 bei der präzisen Fehlererkennung und Dichteanalyse und unterstützt gleichzeitig eine anpassbare Fehleranalyse. Dies ermöglicht die Verfolgung von Defekten in der gesamten Kette vom Substrat über die Epitaxie bis zum Gerät. Im Vergleich zu herkömmlichen KOH-Ätzmethoden bietet DISPEC-9000 nicht nur eine zerstörungsfreie Erkennung, sondern kann auch effektiv zwischen TSD- und TED-Signalen unterscheiden, wobei die Ergebnisse in hohem Maße mit XRT-Messungen übereinstimmen. Es hilft Substratherstellern, Produktionskosten zu senken und bietet starke Unterstützung für Kosteneffizienzverbesserungen in der gesamten Industriekette.
Erkundigen

  • DISPEKT 9000

Kernvorteile
Spezifikationen
Fallbeispiele
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Hauptmerkmale

  • Die optische zerstörungsfreie Prüfung ersetzt die KOH-Ätzung

  • KI-gestützte präzise Identifizierung und Klassifizierung von Fehlern wie TSD, TED, BPD, SF und MP

  • Hohe Geschwindigkeit und hoher Durchsatz zur Erfüllung der Inspektionsanforderungen für die Massenproduktion

  • Prüfgenauigkeit vergleichbar mit XRT

  • Kompatibel mit der Inspektion von Ingots und nicht standardmäßigen Impfkristallen


Herausforderungen der Branche meistern

Herkömmliche KOH-Ätzmethoden sind nicht nur destruktiv, sondern im Allgemeinen auch nicht in der Lage, genau zwischen TSD und TED zu unterscheiden, was zu einer erheblichen Unterschätzung der TSD-Dichte in SiC-Substraten führt. Durch die Kombination von zerstörungsfreier Erkennung mit KI-basierter Erkennung kann dieses Produkt TSD- und TED-Signale effektiv unterscheiden und identifizieren, wobei die Ergebnisse in hohem Maße mit XRT-Messungen übereinstimmen.

Spezifikationen

Durchsatz

4–5 Wafer/Stunde (6 Zoll); 2–3 Wafer/Stunde (8 Zoll); 12' manuelles Laden

Unterstütztes Inspektionsobjekt

SiC-Substrat vom N-Typ
Kompatible Probengrößen

6', 8' und 12

Inspektionsfehlertyp

 TED, TSD, BPD, SF, MP, Kohlenstoffeinschlüsse, heterokristalline Defekte und andere Defekte

Empfohlene Funktionen

Kann sowohl die Si-Fläche als auch die C-Fläche prüfen; KI-gestützte präzise Fehlererkennung und Dichteanalyse; Anpassbare Funktionen zur Fehleranalyse.


Fallbeispiele

Optische zerstörungsfreie Versetzungsfehlerprüfung im Vergleich zu KOH-Ätzung und XRT

Die Ergebnisse optischer zerstörungsfreier Prüfmethoden stimmen weitgehend mit denen von KOH-Ätzung überein. In Kombination mit KI-Funktionen zur Fehlererkennung kann eine präzise Klassifizierung und Erkennung von TED/TSD/BPD erreicht werden.

DIS 9000-EX-1

Optische zerstörungsfreie Inspektionsmethoden weisen mit XRT eine hohe Konsistenz in der Genauigkeit auf

DIS 9000-EX-2


Machbarkeit der Inspektion der Si-Oberfläche und C-Oberfläche von Substratwafern

DIS 9000-EX-3


Forschung zum Evolutionsprozess von Versetzungsdefekten

DIS 9000-EX-4



Durch die Bereitstellung innovativer, zuverlässiger und skalierbarer Lösungen ermöglichen wir Branchen, beispiellose Präzision und Effizienz zu erreichen und so den Fortschritt in Forschung und Fertigung weltweit voranzutreiben.

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