DISSPEC-9000 Automatisches, zerstörungsfreies SiC-Substrat-Versetzungsdefekt-Inspektionssystem

Heim Produkte Serie zur optischen Inspektion von Halbleitern DISSPEC-9000 Automatisches, zerstörungsfreies SiC-Substrat-Versetzungsdefekt-Inspektionssystem DISSPEC-9000 Automatisches, zerstörungsfreies SiC-Substrat-Versetzungsdefekt-Inspektionssystem

DISSPEC-9000 Automatisches, zerstörungsfreies SiC-Substrat-Versetzungsdefekt-Inspektionssystem

Das auf dem fortschrittlichen Pump-Probe-Reflexionsprinzip basierende DISPEC-9000 ermöglicht eine schnelle optische zerstörungsfreie Inspektion von 6-, 8- und 12-Zoll-SiC-Substraten. Es identifiziert genau drei kritische Versetzungstypen (TSD, TED, BPD) und erkennt gleichzeitig SF, MP, Kohlenstoffeinschlüsse und polykristalline Defekte. Das System unterstützt die beidseitige Inspektion von Si- und C-Flächen. Der Inspektionsdurchsatz ist äußerst effizient: 4–5 Wafer pro Stunde für 6 Zoll, 2–3 Wafer pro Stunde für 8 Zoll und etwa 1 Stunde pro Wafer für 12 Zoll (manuelles Laden).

Ausgestattet mit KI-gestützten Algorithmen unterstützt DISPEC-9000 bei der präzisen Fehlererkennung und Dichteanalyse und unterstützt gleichzeitig eine anpassbare Fehleranalyse. Dies ermöglicht die Verfolgung von Defekten in der gesamten Kette vom Substrat über die Epitaxie bis zum Gerät. Im Vergleich zu herkömmlichen KOH-Ätzmethoden bietet DISPEC-9000 nicht nur eine zerstörungsfreie Erkennung, sondern kann auch effektiv zwischen TSD- und TED-Signalen unterscheiden, wobei die Ergebnisse in hohem Maße mit XRT-Messungen übereinstimmen. Es hilft Substratherstellern, Produktionskosten zu senken und bietet starke Unterstützung für Kosteneffizienzverbesserungen in der gesamten Industriekette.

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Hauptmerkmale

Die optische zerstörungsfreie Prüfung ersetzt die KOH-Ätzung
KI-gestützte präzise Identifizierung und Klassifizierung von Fehlern wie TSD, TED, BPD, SF und MP
Hohe Geschwindigkeit und hoher Durchsatz zur Erfüllung der Inspektionsanforderungen für die Massenproduktion
Prüfgenauigkeit vergleichbar mit XRT
Kompatibel mit der Inspektion von Ingots und nicht standardmäßigen Impfkristallen

Herausforderungen der Branche meistern

Herkömmliche KOH-Ätzmethoden sind nicht nur destruktiv, sondern im Allgemeinen auch nicht in der Lage, genau zwischen TSD und TED zu unterscheiden, was zu einer erheblichen Unterschätzung der TSD-Dichte in SiC-Substraten führt. Durch die Kombination von zerstörungsfreier Erkennung mit KI-basierter Erkennung kann dieses Produkt TSD- und TED-Signale effektiv unterscheiden und identifizieren, wobei die Ergebnisse in hohem Maße mit XRT-Messungen übereinstimmen.

Durchsatz	4–5 Wafer/Stunde (6 Zoll); 2–3 Wafer/Stunde (8 Zoll); 12' manuelles Laden
Unterstütztes Inspektionsobjekt	SiC-Substrat vom N-Typ
Kompatible Probengrößen	6', 8' und 12
Inspektionsfehlertyp	TED, TSD, BPD, SF, MP, Kohlenstoffeinschlüsse, heterokristalline Defekte und andere Defekte
Empfohlene Funktionen	Kann sowohl die Si-Fläche als auch die C-Fläche prüfen; KI-gestützte präzise Fehlererkennung und Dichteanalyse; Anpassbare Funktionen zur Fehleranalyse.

DISSPEC-9000 Automatisches, zerstörungsfreies SiC-Substrat-Versetzungsdefekt-Inspektionssystem

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