DISPEC-9000 Sistema automático de inspección de defectos de dislocación de sustrato de SiC no destructivo

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DISPEC-9000 Sistema automático de inspección de defectos de dislocación de sustrato de SiC no destructivo

El DISPEC‑9000, basado en el principio avanzado de reflexión de sonda y bomba, permite una inspección óptica rápida y no destructiva de sustratos de SiC de 6, 8 y 12 pulgadas. Identifica con precisión tres tipos de dislocaciones críticas (TSD, TED, BPD) y al mismo tiempo detecta SF, MP, inclusiones de carbono y defectos policristalinos. El sistema admite la inspección de doble cara de las caras Si y C. Su rendimiento de inspección es muy eficiente: de 4 a 5 obleas por hora para 6 pulgadas, de 2 a 3 obleas por hora para 8 pulgadas y aproximadamente 1 hora por oblea para 12 pulgadas (carga manual).

Equipado con algoritmos impulsados por IA, DISPEC‑9000 ayuda en la identificación precisa de defectos y el análisis de densidad, al mismo tiempo que admite análisis de defectos personalizables. Esto permite el seguimiento de defectos de cadena completa desde el sustrato hasta la epitaxia y el dispositivo. En comparación con los métodos tradicionales de grabado con KOH, DISPEC‑9000 no solo proporciona una detección no destructiva, sino que también puede distinguir eficazmente entre señales TSD y TED, con resultados muy consistentes con las mediciones XRT. Ayuda a los fabricantes de sustratos a reducir los costos de producción y ofrece un fuerte apoyo para mejorar la eficiencia de costos en toda la cadena industrial.

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Características clave

La inspección óptica no destructiva reemplaza el grabado con KOH
Identificación y clasificación precisas de defectos asistidas por IA, como TSD, TED, BPD, SF y MP
Alta velocidad y alto rendimiento para cumplir con los requisitos de inspección de producción en masa
Precisión de inspección comparable a XRT
Compatible con inspección de lingotes y cristales semilla no estándar

Superar los desafíos de la industria

Los métodos tradicionales de grabado con KOH no solo son destructivos sino que, por lo general, no pueden distinguir con precisión entre TSD y TED, lo que lleva a una grave subestimación de la densidad de TSD en sustratos de SiC. Al combinar la detección no destructiva con el reconocimiento basado en IA, este producto puede diferenciar e identificar eficazmente señales TSD y TED, con resultados muy consistentes con las mediciones XRT.

Rendimiento	4-5 galletas/hora (6'); 2-3 galletas/hora (8'); Carga manual de 12'
Objeto de inspección admitido	Sustrato de SiC tipo N
Tamaños de muestra compatibles	6', 8' y 12
Tipo de defecto de inspección	TED, TSD, BPD, SF, MP, inclusiones de carbono, defectos heterocristalinos y otros defectos
Funciones destacadas	Capaz de inspeccionar tanto la cara Si como la cara C; Identificación precisa de defectos y análisis de densidad impulsados por IA; Capacidades de análisis de defectos personalizables.

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