DISPEC-9000 Sistem Inspeksi Cacat Dislokasi Substrat SiC Non-destruktif Otomatis

DISPEC‑9000, berdasarkan prinsip Refleksi Pump‑Probe yang canggih, memungkinkan pemeriksaan optik non-destruktif yang cepat pada substrat SiC 6‑, 8‑, dan 12‑inci. Ini secara akurat mengidentifikasi tiga jenis dislokasi kritis (TSD, TED, BPD) sekaligus mendeteksi SF, MP, inklusi karbon, dan cacat polikristalin. Sistem ini mendukung pemeriksaan dua sisi pada permukaan Si dan C. Throughput pemeriksaannya sangat efisien: 4–5 wafer per jam untuk 6‑inci, 2–3 wafer per jam untuk 8‑inci, dan sekitar 1 jam per wafer untuk 12‑inci (pemuatan manual).

Dilengkapi dengan algoritme bertenaga AI, DISPEC‑9000 membantu identifikasi cacat dan analisis kepadatan secara tepat, sekaligus mendukung analisis cacat yang dapat disesuaikan. Hal ini memungkinkan pelacakan cacat rantai penuh dari substrat ke epitaksi hingga perangkat. Dibandingkan dengan metode etsa KOH tradisional, DISPEC‑9000 tidak hanya menyediakan deteksi non-destruktif namun juga dapat membedakan secara efektif antara sinyal TSD dan TED, dengan hasil yang sangat konsisten dengan pengukuran XRT. Hal ini membantu produsen substrat mengurangi biaya produksi dan menawarkan dukungan kuat untuk peningkatan efisiensi biaya di seluruh rantai industri.

Menanyakan

Fitur Utama

Inspeksi optik non-destruktif menggantikan etsa KOH
Identifikasi dan klasifikasi cacat yang tepat dengan bantuan AI seperti TSD, TED, BPD, SF, dan MP
Kecepatan tinggi dan throughput tinggi untuk memenuhi persyaratan inspeksi produksi massal
Akurasi inspeksi sebanding dengan XRT
Kompatibel dengan pemeriksaan kristal benih ingot dan non-standar

Mengatasi Tantangan Industri

Metode etsa KOH tradisional tidak hanya merusak tetapi juga umumnya tidak dapat secara akurat membedakan antara TSD dan TED, sehingga menyebabkan terlalu rendahnya perkiraan kepadatan TSD dalam substrat SiC. Dengan menggabungkan deteksi non-destruktif dan pengenalan berbasis AI, produk ini dapat secara efektif membedakan dan mengidentifikasi sinyal TSD dan TED, dengan hasil yang sangat konsisten dengan pengukuran XRT.

Hasil	4-5 wafer/jam (6'); 2-3 wafer/jam (8'); 12' pemuatan manual
Objek Inspeksi yang Didukung	Substrat SiC tipe-N
Ukuran Sampel yang Kompatibel	6', 8', dan 12
Jenis Cacat Inspeksi	TED, TSD, BPD, SF, MP, inklusi karbon, cacat heterokristalin, dan cacat lainnya
Fungsi Unggulan	Mampu memeriksa muka Si dan muka C; Identifikasi cacat dan analisis kepadatan yang tepat dan didukung AI; Kemampuan analisis cacat yang dapat disesuaikan.

DISPEC-9000 Sistem Inspeksi Cacat Dislokasi Substrat SiC Non-destruktif Otomatis

Kategori Produk

Tautan Cepat