|
| DISPEC‑9000, berdasarkan prinsip Refleksi Pump‑Probe yang canggih, memungkinkan pemeriksaan optik non-destruktif yang cepat pada substrat SiC 6‑, 8‑, dan 12‑inci. Ini secara akurat mengidentifikasi tiga jenis dislokasi kritis (TSD, TED, BPD) sekaligus mendeteksi SF, MP, inklusi karbon, dan cacat polikristalin. Sistem ini mendukung pemeriksaan dua sisi pada permukaan Si dan C. Throughput pemeriksaannya sangat efisien: 4–5 wafer per jam untuk 6‑inci, 2–3 wafer per jam untuk 8‑inci, dan sekitar 1 jam per wafer untuk 12‑inci (pemuatan manual).
Dilengkapi dengan algoritme bertenaga AI, DISPEC‑9000 membantu identifikasi cacat dan analisis kepadatan secara tepat, sekaligus mendukung analisis cacat yang dapat disesuaikan. Hal ini memungkinkan pelacakan cacat rantai penuh dari substrat ke epitaksi hingga perangkat. Dibandingkan dengan metode etsa KOH tradisional, DISPEC‑9000 tidak hanya menyediakan deteksi non-destruktif namun juga dapat membedakan secara efektif antara sinyal TSD dan TED, dengan hasil yang sangat konsisten dengan pengukuran XRT. Hal ini membantu produsen substrat mengurangi biaya produksi dan menawarkan dukungan kuat untuk peningkatan efisiensi biaya di seluruh rantai industri. |
|||||||||
DISPEC 9000
Contoh Kasus
Hasil Inspeksi Cacat Dislokasi Non-destruktif Optik vs. Etsa KOH dan
Metode inspeksi non-destruktif Optik XRT menghasilkan hasil yang sangat konsisten dengan Etsa KOH. Dikombinasikan dengan kemampuan pengenalan cacat AI, klasifikasi dan deteksi TED/TSD/BPD yang tepat dapat dicapai.
Metode inspeksi optik non-destruktif menunjukkan konsistensi akurasi yang tinggi dengan XRT
Kelayakan Pemeriksaan Permukaan Si dan Permukaan C Wafer Substrat
Penelitian Proses Evolusi Cacat Dislokasi
