DISPEC-9000 Sistema automático não destrutivo de inspeção de defeitos de deslocamento de substrato de SiC
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do sistema de inspeção de defeitos de deslocamento de substrato de SiC automático não destrutivo DISPEC-9000 :

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O DISPEC‑9000, baseado no avançado princípio Pump‑Probe Reflection, permite inspeção óptica não destrutiva rápida de substratos de SiC de 6, 8 e 12 polegadas. Ele identifica com precisão três tipos críticos de deslocamento (TSD, TED, BPD), ao mesmo tempo que detecta SF, MP, inclusões de carbono e defeitos policristalinos. O sistema suporta inspeção bilateral de faces Si e C. Seu rendimento de inspeção é altamente eficiente: 4 a 5 wafers por hora para 6 polegadas, 2 a 3 wafers por hora para 8 polegadas e aproximadamente 1 hora por wafer para 12 polegadas (carregamento manual).

Equipado com algoritmos alimentados por IA, o DISPEC‑9000 auxilia na identificação precisa de defeitos e na análise de densidade, ao mesmo tempo que oferece suporte à análise de defeitos personalizável. Isso permite o rastreamento de defeitos de cadeia completa, do substrato à epitaxia e ao dispositivo. Comparado aos métodos tradicionais de gravação com KOH, o DISPEC‑9000 não apenas fornece detecção não destrutiva, mas também pode distinguir com eficácia entre sinais TSD e TED, com resultados altamente consistentes com medições XRT. Ajuda os fabricantes de substratos a reduzir os custos de produção e oferece um forte apoio para melhorias na eficiência de custos em toda a cadeia da indústria.
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  • DISPEC 9000

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Principais recursos

  • A inspeção óptica não destrutiva substitui a gravação com KOH

  • Identificação precisa e classificação de defeitos assistida por IA, como TSD, TED, BPD, SF e MP

  • Alta velocidade e alto rendimento para atender aos requisitos de inspeção de produção em massa

  • Precisão de inspeção comparável ao XRT

  • Compatível com inspeção de lingotes e cristais de sementes não padronizados


Superando os desafios da indústria

Os métodos tradicionais de gravação com KOH não são apenas destrutivos, mas também geralmente incapazes de distinguir com precisão entre TSD e TED, levando a uma grave subestimação da densidade de TSD em substratos de SiC. Ao combinar a detecção não destrutiva com o reconhecimento baseado em IA, este produto pode diferenciar e identificar eficazmente sinais TSD e TED, com resultados altamente consistentes com medições XRT.

Especificações

Taxa de transferência

4-5 wafers/hora (6'); 2-3 wafers/hora (8'); Carregamento manual de 12'

Objeto de inspeção compatível

Substrato de SiC tipo N
Tamanhos de amostra compatíveis

6', 8' e 12

Tipo de defeito de inspeção

 TED, TSD, BPD, SF, MP, inclusões de carbono, defeitos heterocristalinos e outros defeitos

Funções em destaque

Capaz de inspecionar tanto a face Si quanto a face C; Identificação precisa de defeitos e análise de densidade com tecnologia de IA; Recursos personalizáveis ​​de análise de defeitos.


Exemplos de casos

Inspeção óptica não destrutiva de defeitos de deslocamento versus gravação com KOH e XRT

Os métodos de inspeção óptica não destrutiva apresentam resultados altamente consistentes com a gravação com KOH. Combinado com recursos de reconhecimento de defeitos de IA, é possível obter classificação e detecção precisas de TED/TSD/BPD.

DIS 9000-EX-1

Métodos de inspeção ópticos não destrutivos exibem alta consistência em precisão com XRT

DIS 9000-EX-2


Viabilidade de inspeção da superfície de Si e superfície C de wafers de substrato

DIS 9000-EX-3


Pesquisa sobre o processo de evolução dos defeitos de luxação

DIS 9000-EX-4



Ao fornecer soluções inovadoras, confiáveis ​​e escaláveis, capacitamos as indústrias a alcançar precisão e eficiência incomparáveis, impulsionando o progresso na pesquisa e na fabricação em todo o mundo.

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