DISPEC-9000 Sistema automático não destrutivo de inspeção de defeitos de deslocamento de substrato de SiC

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DISPEC-9000 Sistema automático não destrutivo de inspeção de defeitos de deslocamento de substrato de SiC

O DISPEC‑9000, baseado no avançado princípio Pump‑Probe Reflection, permite inspeção óptica não destrutiva rápida de substratos de SiC de 6, 8 e 12 polegadas. Ele identifica com precisão três tipos críticos de deslocamento (TSD, TED, BPD), ao mesmo tempo que detecta SF, MP, inclusões de carbono e defeitos policristalinos. O sistema suporta inspeção bilateral de faces Si e C. Seu rendimento de inspeção é altamente eficiente: 4 a 5 wafers por hora para 6 polegadas, 2 a 3 wafers por hora para 8 polegadas e aproximadamente 1 hora por wafer para 12 polegadas (carregamento manual).

Equipado com algoritmos alimentados por IA, o DISPEC‑9000 auxilia na identificação precisa de defeitos e na análise de densidade, ao mesmo tempo que oferece suporte à análise de defeitos personalizável. Isso permite o rastreamento de defeitos de cadeia completa, do substrato à epitaxia e ao dispositivo. Comparado aos métodos tradicionais de gravação com KOH, o DISPEC‑9000 não apenas fornece detecção não destrutiva, mas também pode distinguir com eficácia entre sinais TSD e TED, com resultados altamente consistentes com medições XRT. Ajuda os fabricantes de substratos a reduzir os custos de produção e oferece um forte apoio para melhorias na eficiência de custos em toda a cadeia da indústria.

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Principais recursos

A inspeção óptica não destrutiva substitui a gravação com KOH
Identificação precisa e classificação de defeitos assistida por IA, como TSD, TED, BPD, SF e MP
Alta velocidade e alto rendimento para atender aos requisitos de inspeção de produção em massa
Precisão de inspeção comparável ao XRT
Compatível com inspeção de lingotes e cristais de sementes não padronizados

Superando os desafios da indústria

Os métodos tradicionais de gravação com KOH não são apenas destrutivos, mas também geralmente incapazes de distinguir com precisão entre TSD e TED, levando a uma grave subestimação da densidade de TSD em substratos de SiC. Ao combinar a detecção não destrutiva com o reconhecimento baseado em IA, este produto pode diferenciar e identificar eficazmente sinais TSD e TED, com resultados altamente consistentes com medições XRT.

Taxa de transferência	4-5 wafers/hora (6'); 2-3 wafers/hora (8'); Carregamento manual de 12'
Objeto de inspeção compatível	Substrato de SiC tipo N
Tamanhos de amostra compatíveis	6', 8' e 12
Tipo de defeito de inspeção	TED, TSD, BPD, SF, MP, inclusões de carbono, defeitos heterocristalinos e outros defeitos
Funções em destaque	Capaz de inspecionar tanto a face Si quanto a face C; Identificação precisa de defeitos e análise de densidade com tecnologia de IA; Recursos personalizáveis de análise de defeitos.

DISPEC-9000 Sistema automático não destrutivo de inspeção de defeitos de deslocamento de substrato de SiC

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