Das TAU-9000-System nutzt Pump-Probe-basierte ultraschnelle transiente Spektroskopie-Bildgebung, um eine zeitlich und räumlich hochaufgelöste Charakterisierung der Lebensdauer von Wafer-Minoritätsträgern zu erreichen. Photogenerierte Ladungsträger werden durch Pumplicht angeregt und ihre Zerfallsdynamik wird durch zeitaufgelöste Bildgebung gemessen. Dies ermöglicht eine präzise Beurteilung der Auswirkungen von Versetzungen, Punktdefekten und Oberflächenverunreinigungen auf die Ladungsträgerlebensdauer und spiegelt so die Gesamtqualität des Wafers wider.
Das System unterstützt mehrere Wafergrößen (2″, 4″, 6″, 8″, 12″) und eine Reihe von Materialien, darunter SiC, GaN, GaAs, InP und Si, mit einem Lebensdauermessbereich von <5 ns bis mehreren Sekunden, einer räumlichen Auflösung von 275 μm und einer zeitlichen Auflösung von 1–10 ns. Eine Vakuumkammer verhindert optische Schäden an der Probenoberfläche. Integrierte KI-Algorithmen ermöglichen eine quantitative Analyse der Defektdichte und eine individuelle Auswertung und ermöglichen so eine vollständige Qualitätsverfolgung vom Substrat über die Epitaxie bis zum Gerät.
Das System unterstützt mehrere Wafergrößen (2″, 4″, 6″, 8″, 12″) und eine Reihe von Materialien, darunter SiC, GaN, GaAs, InP und Si, mit einem Lebensdauermessbereich von <5 ns bis mehreren Sekunden, einer räumlichen Auflösung von 275 μm und einer zeitlichen Auflösung von 1–10 ns. Eine Vakuumkammer verhindert optische Schäden an der Probenoberfläche. Integrierte KI-Algorithmen ermöglichen eine quantitative Analyse der Defektdichte und eine individuelle Auswertung und ermöglichen so eine vollständige Qualitätsverfolgung vom Substrat über die Epitaxie bis zum Gerät.
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