Verfügbarkeit des TAU-9000 Minority Carrier Lifetime Imaging Systems

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Das TAU-9000-System nutzt Pump-Probe-basierte ultraschnelle transiente Spektroskopie-Bildgebung, um eine zeitlich und räumlich hochaufgelöste Charakterisierung der Lebensdauer von Wafer-Minoritätsträgern zu erreichen. Photogenerierte Ladungsträger werden durch Pumplicht angeregt und ihre Zerfallsdynamik wird durch zeitaufgelöste Bildgebung gemessen. Dies ermöglicht eine präzise Beurteilung der Auswirkungen von Versetzungen, Punktdefekten und Oberflächenverunreinigungen auf die Ladungsträgerlebensdauer und spiegelt so die Gesamtqualität des Wafers wider. Das System unterstützt mehrere Wafergrößen (2″, 4″, 6″, 8″, 12″) und eine Reihe von Materialien, darunter SiC, GaN, GaAs, InP und Si, mit einem Lebensdauermessbereich von <5 ns bis mehreren Sekunden, einer räumlichen Auflösung von 275 μm und einer zeitlichen Auflösung von 1–10 ns. Eine Vakuumkammer verhindert optische Schäden an der Probenoberfläche. Integrierte KI-Algorithmen ermöglichen eine quantitative Analyse der Defektdichte und eine individuelle Auswertung und ermöglichen so eine vollständige Qualitätsverfolgung vom Substrat über die Epitaxie bis zum Gerät.
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Modell:
TAU 9000

Kernvorteile

Spezifikationen

Fallbeispiele

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Hauptmerkmale

Nutzt die ultraschnelle transiente optische Spektroskopie-Bildgebungstechnologie, um eine hohe zeitliche und räumliche Auflösung zu erreichen
Enthält eine Vakuumkammer, um Laserschäden an der Probenoberfläche wirksam zu verhindern
Ermöglicht die getrennte Erkennung der Waferoberfläche und des Schüttguts durch Umschalten der Anregungswellenlänge
Kompatibel mit Funktionen wie Laser-Annealing und bipolarer Degradationserkennung
Die Erkennung mit hoher Geschwindigkeit und hohem Durchsatz erfüllt die Anforderungen der Produktionslinie

Herausforderungen der Branche meistern

Die Lebensdauer der Minoritätsträger von Halbleiterwafern wie SiC ist einer der Schlüsselparameter für die Waferqualität. Die Messung der Lebensdauer der Minoritätsträger liefert wertvolle Einblicke in die Punktdefektkonzentration und die Oberflächenverunreinigung durch Metallionen. Da die Nachfrage nach Hochspannungs-SiC-Geräten weiter wächst, wird außerdem der Bedarf an der Messung der Minoritätsträgerlebensdauer dicker epitaktischer Wafer zunehmen.

Spezifikationen

Inspektionszeit	5 Min./Wafer (6', 8' und 12')
Lebenslanges Inspektionsfenster	<5 ns bis Sekunden
Räumliche Auflösung	275 μm (6', 8' und 12')
Prüfbare Proben	SiC, GaN, GaAs, InP, Si
Zeitliche Auflösung	<1 ns bis 10 ns
Kompatible Probengröße	2'、 4'、 6'、 8'、12'
Punktdefektkonzentration, Oberflächenverunreinigung, Trägerlebensdauer und Bewertung der Gitterqualität
Ausgestattet mit einer Vakuumkammer, um Laserschäden an Waferoberflächen zu verhindern

Fallbeispiele

Im Gegensatz zur herkömmlichen μ-PCD-Technik nutzt die TAU-9000-Serie transiente spektroskopische Vollwafer-Bildgebung, um Daten zur Lebensdauer von Minoritätsträgern mit hoher Geschwindigkeit und hoher räumlicher Auflösung zu erfassen und übertrifft die herkömmliche μ-PCD in wichtigen Kennzahlen wie zeitliche Auflösung, räumliche Auflösung und Durchsatz bei weitem.

	TAU-9000	Konventionelles μ-PCD
Testprinzip	Pump-Probe-Vollwafer-Single-Shot-Bildgebung (hohe Effizienz)	Punkt-für-Punkt-Scannen mit Mikrowellen-Photoleitfähigkeitsabfall (μ-PCD).
Anregungswellenlänge	355 nm / 266 nm	349 nm (Einzelwellenlänge)
Zeitliche Auflösung	< 5 ns (SiC)	> 30 ns
Räumliche Auflösung	275 μm	>1mm
Scanzeit	< 5 Min./Wafer	~90 Min. bei 0,5 mm Schrittweite
Maximale Wafergröße	12'	8'

TAU 9000-EX-1

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Verfügbarkeit des TAU-9000 Minority Carrier Lifetime Imaging Systems

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