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| O sistema TAU‑9000 emprega imagens de espectroscopia transitória ultrarrápida baseadas em sonda de bomba para obter caracterização de alta resolução temporal e espacial do tempo de vida dos portadores minoritários de wafer. Os portadores fotogerados são excitados pela luz da bomba e sua dinâmica de decaimento é medida por meio de imagens resolvidas no tempo, permitindo uma avaliação precisa dos efeitos de deslocamentos, defeitos pontuais e contaminação superficial na vida útil dos portadores, refletindo assim a qualidade geral do wafer.
O sistema suporta vários tamanhos de wafer (2″, 4″, 6″, 8″, 12″) e uma variedade de materiais, incluindo SiC, GaN, GaAs, InP e Si, com uma faixa de medição de vida útil de <5 ns a vários segundos, resolução espacial de 275 μm e resolução temporal de 1–10 ns. Uma câmara de vácuo evita danos ópticos à superfície da amostra. Algoritmos de IA integrados permitem análise quantitativa da densidade de defeitos e avaliação personalizada, permitindo o rastreamento da qualidade de toda a cadeia, desde o substrato, passando pela epitaxia, até o dispositivo. |
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TAU 9000
Exemplos de casos
Diferentemente da técnica convencional de μ-PCD, a série TAU-9000 usa imagens espectroscópicas transientes de wafer completo para capturar dados de vida útil de portadores minoritários em alta velocidade e com alta resolução espacial, excedendo em muito o μ-PCD tradicional em métricas importantes como resolução temporal, resolução espacial e rendimento.
| TAU-9000 | μ-PCD convencional | |
| Princípio de teste | Imagem de disparo único de wafer completo com sonda de bomba (alta eficiência) | Decaimento de fotocondutividade de micro-ondas (μ-PCD) Varredura ponto a ponto |
| Comprimento de onda de excitação | 355nm/266nm | 349 nm (comprimento de onda único) |
| Resolução Temporal | <5ns (SiC) | > 30ns |
| Resolução Espacial | 275 μm | >1 mm |
| Tempo de digitalização | < 5 min/wafer | ~90 min @ 0,5 mm Tamanho do passo |
Tamanho máximo do wafer |
12' | 8' |
