O sistema TAU‑9000 emprega imagens de espectroscopia transitória ultrarrápida baseadas em sonda de bomba para obter caracterização de alta resolução temporal e espacial do tempo de vida dos portadores minoritários de wafer. Os portadores fotogerados são excitados pela luz da bomba e sua dinâmica de decaimento é medida por meio de imagens resolvidas no tempo, permitindo uma avaliação precisa dos efeitos de deslocamentos, defeitos pontuais e contaminação superficial na vida útil dos portadores, refletindo assim a qualidade geral do wafer.
O sistema suporta vários tamanhos de wafer (2″, 4″, 6″, 8″, 12″) e uma variedade de materiais, incluindo SiC, GaN, GaAs, InP e Si, com uma faixa de medição de vida útil de <5 ns a vários segundos, resolução espacial de 275 μm e resolução temporal de 1–10 ns. Uma câmara de vácuo evita danos ópticos à superfície da amostra. Algoritmos de IA integrados permitem análise quantitativa da densidade de defeitos e avaliação personalizada, permitindo o rastreamento da qualidade de toda a cadeia, desde o substrato, passando pela epitaxia, até o dispositivo.
O sistema suporta vários tamanhos de wafer (2″, 4″, 6″, 8″, 12″) e uma variedade de materiais, incluindo SiC, GaN, GaAs, InP e Si, com uma faixa de medição de vida útil de <5 ns a vários segundos, resolução espacial de 275 μm e resolução temporal de 1–10 ns. Uma câmara de vácuo evita danos ópticos à superfície da amostra. Algoritmos de IA integrados permitem análise quantitativa da densidade de defeitos e avaliação personalizada, permitindo o rastreamento da qualidade de toda a cadeia, desde o substrato, passando pela epitaxia, até o dispositivo.
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