| Disponibilidad | |||||||||
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| El sistema TAU‑9000 emplea imágenes de espectroscopia transitoria ultrarrápida basada en sonda de bomba para lograr una caracterización de alta resolución temporal y espacial de la vida útil de los portadores minoritarios de obleas. Los portadores fotogenerados se excitan con la luz de la bomba y su dinámica de desintegración se mide mediante imágenes resueltas en el tiempo, lo que permite una evaluación precisa de los efectos de las dislocaciones, los defectos puntuales y la contaminación de la superficie en la vida útil de los portadores, reflejando así la calidad general de las obleas.
El sistema admite múltiples tamaños de oblea (2', 4', 6', 8', 12') y una variedad de materiales que incluyen SiC, GaN, GaAs, InP y Si, con un rango de medición de vida útil de <5 ns a varios segundos, una resolución espacial de 275 μm y una resolución temporal de 1 a 10 ns. Una cámara de vacío evita daños ópticos a la superficie de la muestra. Los algoritmos de IA integrados permiten un análisis cuantitativo de la densidad de defectos y una evaluación personalizada, lo que permite un seguimiento de la calidad de la cadena completa desde el sustrato, pasando por la epitaxia, hasta el dispositivo. |
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TAU 9000
Utiliza tecnología de imágenes de espectroscopía óptica transitoria ultrarrápida para lograr una alta resolución temporal y espacial.
Incorpora una cámara de vacío para prevenir eficazmente el daño del láser a la superficie de la muestra.
Permite la detección separada de la superficie de la oblea y del material a granel cambiando la longitud de onda de excitación.
Compatible con funciones como recocido láser y detección de degradación bipolar
La detección de alta velocidad y alto rendimiento cumple con los requisitos de la línea de producción
Superar los desafíos de la industria
La vida útil de los portadores minoritarios de las obleas semiconductoras, como las de SiC, es uno de los parámetros clave que indican la calidad de las obleas. La medición de la vida útil de los portadores minoritarios proporciona información valiosa sobre la concentración de defectos puntuales y la contaminación de la superficie por iones metálicos. Además, a medida que la demanda de dispositivos de SiC de alto voltaje siga creciendo, también aumentará la necesidad de medir la vida útil de los portadores minoritarios de obleas epitaxiales gruesas.
Presupuesto
| Tiempo de inspección | 5 min/oblea (6', 8' y 12') |
Ventana de inspección de por vida |
<5 ns a segundos |
Resolución espacial |
275 µm (6', 8' y 12') |
| Muestras inspeccionables | SiC, GaN, GaAs, InP, Si |
| Resolución temporal | <1 ns a 10 ns |
| Tamaño de muestra compatible | 2'、 4'、 6'、 8'、12' |
| Evaluación de concentración de defectos puntuales, contaminación de superficies, vida útil del portador y calidad de la red | |
| Equipado con una cámara de vacío para evitar daños por láser en las superficies de las obleas. | |
Ejemplos de casos
A diferencia de la técnica μ-PCD convencional, la serie TAU-9000 utiliza imágenes espectroscópicas transitorias de oblea completa para capturar datos de vida útil de portadores minoritarios a alta velocidad y con alta resolución espacial, superando con creces el μ-PCD tradicional en métricas clave como resolución temporal, resolución espacial y rendimiento.
| TAU-9000 | μ-PCD convencional | |
| Principio de prueba | Imágenes de un solo disparo de oblea completa con sonda de bomba (alta eficiencia) | Escaneo punto por punto de desintegración de la fotoconductividad por microondas (μ-PCD) |
| Longitud de onda de excitación | 355 nm / 266 nm | 349 nm (longitud de onda única) |
| Resolución temporal | < 5 ns (SiC) | > 30 ns |
| Resolución espacial | 275 micras | >1mm |
| Tiempo de escaneo | < 5 min/oblea | ~90 min @ 0,5 mm Tamaño de paso |
Tamaño máximo de oblea |
12' | 8' |
