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Das DISPEC-8000 nutzt das Pump-Probe-Reflexionsprinzip, um eine zerstörungsfreie optische Inspektion von Verbindungshalbleitermaterialien durchzuführen. Dieses System eignet sich zur Inspektion von N-Typ-SiC-Ingots, Impfkristallen und Wafern und unterstützt die Analyse von Wafern unterschiedlicher Größe. Es kann wichtige Versetzungsdefekte wie TSD, TED und BPD genau identifizieren und unterstützt gleichzeitig die Erkennung verschiedener Defekttypen, einschließlich SF, MP, Kohlenstoffeinschlüsse und Epitaxiedefekte. Darüber hinaus unterstützt es die Dual-Oberflächenanalyse sowohl der Si- als auch der C-Flächen. Im Vergleich zu automatisierten Systemen arbeitet das DISPEC-8000 im manuellen Modus, was eine größere Flexibilität bietet und es für die F&E-Validierung, Tests kleiner Chargen und verschiedene Anwendungsszenarien geeignet macht.
Im Vergleich zu herkömmlichen KOH-Ätzmethoden ermöglicht das DISPEC-8000 eine echte zerstörungsfreie Inspektion. Es unterscheidet effektiv zwischen TSD- und TED-Signalen, wobei die Prüfergebnisse in hohem Maße mit denen der XRT-Methode übereinstimmen. Während die Prüfgenauigkeit gewährleistet ist, hilft das Gerät den Benutzern, Kosten zu senken und die Effizienz bei Forschung, Entwicklung und Produktion durch einen flexibleren Betrieb und umfassendere Prüfmöglichkeiten zu verbessern, und bietet so eine zuverlässige Unterstützung für die Verbindungshalbleiter-Industriekette. |
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DISPEKT 8000
Fallbeispiele
Speziell für die Erkennung kritischer Fehler in Barren entwickelt
Es erkennt schnell schwerwiegende Fehler wie SF, MP und polykristalline Strukturen nach dem Barrenwachstum. Es kann auch zum manuellen Laden von Impfkristallen oder zur Inspektion von Substratwafern verwendet werden
Hohe Konsistenz mit KOH
