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El DISPEC-8000 utiliza el principio de reflexión de sonda-bomba para realizar inspecciones ópticas no destructivas de materiales semiconductores compuestos. Este sistema es adecuado para inspeccionar lingotes, cristales semilla y obleas de SiC tipo N, y admite el análisis de obleas de varios tamaños. Puede identificar con precisión defectos de dislocación clave, como TSD, TED y BPD, y al mismo tiempo admite la detección de varios tipos de defectos, incluidos SF, MP, inclusiones de carbono y defectos epitaxiales. Además, admite el análisis de doble superficie de las caras de Si y C. En comparación con los sistemas automatizados, el DISPEC-8000 funciona en modo manual, lo que ofrece mayor flexibilidad y lo hace adecuado para validación de I+D, pruebas de lotes pequeños y diversos escenarios de aplicaciones.
En comparación con los métodos tradicionales de grabado con KOH, el DISPEC-8000 permite una verdadera inspección no destructiva. Distingue eficazmente entre señales TSD y TED, con resultados de inspección muy consistentes con los del método XRT. Al tiempo que garantiza la precisión de la inspección, el dispositivo ayuda a los usuarios a reducir costos y mejorar la eficiencia durante la investigación y el desarrollo y la producción a través de una operación más flexible y capacidades de inspección más amplias, brindando un soporte confiable para la cadena industrial de semiconductores compuestos. |
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DISPEC 8000
Ejemplos de casos
Diseñado específicamente para detectar defectos críticos en lingotes
Identifica rápidamente defectos fatales como SF, MP y estructuras policristalinas después del crecimiento del lingote. También se puede utilizar para la carga manual de cristales semilla o para la inspección de obleas de sustrato.
Alta consistencia con KOH
