| có sẵn: | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DISPEC-8000 sử dụng nguyên lý phản xạ đầu dò bơm để thực hiện kiểm tra quang học không phá hủy các vật liệu bán dẫn hỗn hợp. Hệ thống này phù hợp để kiểm tra các thỏi SiC loại N, tinh thể hạt và tấm bán dẫn, đồng thời hỗ trợ phân tích các tấm bán dẫn có kích cỡ khác nhau. Nó có thể xác định chính xác các khuyết tật trật khớp quan trọng như TSD, TED và BPD, đồng thời hỗ trợ phát hiện các loại khuyết tật khác nhau, bao gồm SF, MP, vùi cacbon và khuyết tật epiticular. Ngoài ra, nó hỗ trợ phân tích bề mặt kép của cả mặt Si và C. So với các hệ thống tự động, DISPEC-8000 hoạt động ở chế độ thủ công, mang lại tính linh hoạt cao hơn và phù hợp cho việc xác nhận R&D, thử nghiệm lô nhỏ và các tình huống ứng dụng đa dạng.
So với các phương pháp khắc KOH truyền thống, DISPEC-8000 cho phép kiểm tra không phá hủy thực sự. Nó phân biệt hiệu quả giữa tín hiệu TSD và TED, với kết quả kiểm tra rất phù hợp với kết quả của phương pháp XRT. Trong khi vẫn đảm bảo độ chính xác của việc kiểm tra, thiết bị giúp người dùng giảm chi phí và nâng cao hiệu quả trong quá trình R&D và sản xuất thông qua vận hành linh hoạt hơn và khả năng kiểm tra rộng hơn, cung cấp sự hỗ trợ đáng tin cậy cho chuỗi công nghiệp bán dẫn phức hợp. |
|||||||||
HIỂN THỊ 8000
Kiểm tra không phá hủy quang học thay thế khắc KOH
Nhận dạng và phân loại chính xác các khuyết tật được AI hỗ trợ như TSD, TED, BPD, SF và MP
Tốc độ cao và thông lượng cao để đáp ứng yêu cầu kiểm tra sản xuất hàng loạt
Độ chính xác kiểm tra tương đương với XRT
Tương thích với việc kiểm tra phôi và tinh thể hạt giống không đạt tiêu chuẩn
Các phương pháp khắc KOH truyền thống không chỉ có tính phá hủy mà nhìn chung còn không thể phân biệt chính xác giữa TSD và TED, dẫn đến việc đánh giá thấp mật độ TSD trong chất nền SiC. Bằng cách kết hợp tính năng phát hiện không phá hủy với nhận dạng dựa trên AI, sản phẩm này có thể phân biệt và xác định tín hiệu TSD và TED một cách hiệu quả, mang lại kết quả rất phù hợp với phép đo XRT.
Thông số kỹ thuật
| Tốc độ kiểm tra | ~15 phút/cái (6'); ~30 phút/cái (8'); Thỏi < 1 giờ (8') |
| Đối tượng kiểm tra được hỗ trợ | Các thỏi, hạt và tấm bán dẫn SiC loại N |
| Kích thước mẫu tương thích | 6', 8', và 12' |
| Các loại lỗi kiểm tra | TED, TSD, BPD, SF, MP, vùi cacbon, khuyết tật dị tinh thể và các khuyết tật khác |
| Chức năng nổi bật | Tương thích với thỏi/hạt/tấm bán dẫn; Có khả năng kiểm tra cả mặt Si và mặt C; Phân tích mật độ và nhận dạng khuyết tật chính xác được hỗ trợ bởi AI thông minh; Phân tích lỗi tùy chỉnh |
Ví dụ trường hợp
Được thiết kế đặc biệt để phát hiện các khuyết tật nghiêm trọng trong phôi
Nó nhanh chóng xác định các lỗ hổng nghiêm trọng như SF, MP và cấu trúc đa tinh thể sau khi phát triển phôi. Nó cũng có thể được sử dụng để nạp tinh thể hạt hoặc kiểm tra tấm nền bằng tay

Tính nhất quán cao với KOH
