ផលិតផល - បដា
DISPEC-8000 ប្រព័ន្ធត្រួតពិនិត្យពិការភាព SiC Ingot/Seed/Substrate 3-in-1 Non-destructive
DISPEC-8000 ប្រព័ន្ធត្រួតពិនិត្យពិការភាព SiC Ingot/Seed/Substrate 3-in-1 Non-destructive
DISPEC-8000 ប្រើប្រាស់គោលការណ៍ឆ្លុះបញ្ចាំងពីបំពង់បូម ដើម្បីអនុវត្តការត្រួតពិនិត្យអុបទិកដែលមិនបំផ្លិចបំផ្លាញនៃសម្ភារៈ semiconductor សមាសធាតុ។ ប្រព័ន្ធនេះគឺសមរម្យសម្រាប់ការត្រួតពិនិត្យ N-type SiC ingots គ្រីស្តាល់គ្រាប់ពូជ និង wafers និងគាំទ្រការវិភាគនៃ wafers នៃទំហំផ្សេងគ្នា។ វាអាចកំណត់អត្តសញ្ញាណពិការភាពសំខាន់ៗដូចជា TSD, TED, និង BPD យ៉ាងត្រឹមត្រូវ ខណៈពេលដែលគាំទ្រដល់ការរកឃើញនៃប្រភេទពិការភាពផ្សេងៗ រួមទាំង SF, MP, ការរួមបញ្ចូលកាបូន និងពិការភាព epitaxial ។ លើសពីនេះទៀតវាគាំទ្រការវិភាគផ្ទៃពីរនៃមុខ Si និង C ។ បើប្រៀបធៀបទៅនឹងប្រព័ន្ធស្វ័យប្រវត្តិ DISPEC-8000 ដំណើរការក្នុងរបៀបដោយដៃ ដោយផ្តល់នូវភាពបត់បែនកាន់តែច្រើន និងធ្វើឱ្យវាសមស្របសម្រាប់ការផ្ទៀងផ្ទាត់ R&D ការធ្វើតេស្តជាក្រុមតូចៗ និងសេណារីយ៉ូកម្មវិធីចម្រុះ។

បើប្រៀបធៀបទៅនឹងវិធីសាស្ត្រឆ្លាក់ KOH ប្រពៃណី DISPEC-8000 អនុញ្ញាតឱ្យមានការត្រួតពិនិត្យពិតប្រាកដដែលមិនមានការបំផ្លិចបំផ្លាញ។ វាបែងចែកយ៉ាងមានប្រសិទ្ធភាពរវាងសញ្ញា TSD និង TED ជាមួយនឹងលទ្ធផលត្រួតពិនិត្យមានភាពស៊ីសង្វាក់គ្នាយ៉ាងខ្លាំងជាមួយនឹងវិធីសាស្ត្រ XRT ។ ខណៈពេលដែលការធានានូវភាពត្រឹមត្រូវនៃការត្រួតពិនិត្យ ឧបករណ៍នេះជួយអ្នកប្រើប្រាស់កាត់បន្ថយការចំណាយ និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពក្នុងអំឡុងពេល R&D និងផលិតកម្ម តាមរយៈប្រតិបត្តិការដែលអាចបត់បែនបាន និងសមត្ថភាពត្រួតពិនិត្យកាន់តែទូលំទូលាយ ដោយផ្តល់នូវការគាំទ្រដែលអាចទុកចិត្តបានសម្រាប់ខ្សែសង្វាក់ឧស្សាហកម្ម semiconductor ។
សាកសួរ

លក្ខណៈសំខាន់ៗ

  • ការត្រួតពិនិត្យមិនបំផ្លិចបំផ្លាញអុបទិកជំនួសការឆ្លាក់ KOH

  • ការកំណត់អត្តសញ្ញាណច្បាស់លាស់ដែលជំនួយដោយ AI និងចំណាត់ថ្នាក់នៃពិការភាពដូចជា TSD, TED, BPD, SF, និង MP

  • ល្បឿន​លឿន​និង​លំហូរ​ខ្ពស់​ដើម្បី​បំពេញ​តាម​តម្រូវការ​ត្រួតពិនិត្យ​ផលិតកម្ម​ទ្រង់ទ្រាយ​ធំ​

  • ភាពត្រឹមត្រូវនៃការត្រួតពិនិត្យអាចប្រៀបធៀបទៅនឹង XRT

  • ឆបគ្នាជាមួយ ingot និងការត្រួតពិនិត្យគ្រីស្តាល់គ្រាប់ពូជមិនស្តង់ដារ


ការយកឈ្នះលើបញ្ហាប្រឈមក្នុងឧស្សាហកម្ម

វិធីសាស្ត្រឆ្លាក់ KOH បែបប្រពៃណីមិនត្រឹមតែបំផ្លាញប៉ុណ្ណោះទេ ថែមទាំងមិនអាចបែងចែកបានត្រឹមត្រូវរវាង TSD និង TED ដែលនាំឱ្យមានការប៉ាន់ស្មានយ៉ាងធ្ងន់ធ្ងរនៃដង់ស៊ីតេ TSD នៅក្នុងស្រទាប់ខាងក្រោម SiC ។ ដោយការរួមបញ្ចូលការរកឃើញដែលមិនបំផ្លិចបំផ្លាញជាមួយនឹងការទទួលស្គាល់ដែលមានមូលដ្ឋានលើ AI ផលិតផលនេះអាចបែងចែក និងកំណត់អត្តសញ្ញាណសញ្ញា TSD និង TED ប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព ជាមួយនឹងលទ្ធផលដែលស៊ីគ្នាយ៉ាងខ្លាំងជាមួយនឹងការវាស់វែង XRT ។


លក្ខណៈបច្ចេកទេស

ល្បឿនត្រួតពិនិត្យ~ 15 នាទី / ដុំ (6'); ~ 30 នាទី / ដុំ (8'); Ingot < 1 ម៉ោង (8')
វត្ថុអធិការកិច្ចដែលគាំទ្រN-type SiC ingots គ្រាប់ពូជ និង wafers
ទំហំគំរូដែលត្រូវគ្នា។6', 8', និង 12'
ប្រភេទនៃការត្រួតពិនិត្យTED, TSD, BPD, SF, MP, ការរួមបញ្ចូលកាបូន, ពិការភាព heterocrystalline និងពិការភាពផ្សេងទៀត
មុខងារពិសេស

ឆបគ្នាជាមួយ ingots / គ្រាប់ពូជ / wafers; មានសមត្ថភាពត្រួតពិនិត្យទាំង Si-face និង C-face; ការកំណត់អត្តសញ្ញាណពិការភាពត្រឹមត្រូវដែលជំនួយដោយ AI ឆ្លាតវៃ និងការវិភាគដង់ស៊ីតេ; ការវិភាគពិការភាពផ្ទាល់ខ្លួន


ករណីឧទាហរណ៍

បានរចនាឡើងជាពិសេសសម្រាប់ការរកឃើញពិការភាពសំខាន់នៅក្នុង ingots

វាកំណត់យ៉ាងឆាប់រហ័សនូវកំហុសធ្ងន់ធ្ងរដូចជា SF, MP, និងរចនាសម្ព័ន្ធ polycrystalline បន្ទាប់ពីការលូតលាស់។ វាក៏អាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការផ្ទុកគ្រីស្តាល់គ្រាប់ពូជដោយដៃ ឬការត្រួតពិនិត្យ wafer ស្រទាប់ខាងក្រោម

DIS 8000-EX-1


ភាពស៊ីសង្វាក់គ្នាខ្ពស់ជាមួយ KOH

DIS 8000-EX-1

តាមរយៈការផ្តល់ដំណោះស្រាយប្រកបដោយភាពច្នៃប្រឌិត ដែលអាចទុកចិត្តបាន និងអាចធ្វើមាត្រដ្ឋានបាន យើងផ្តល់សិទ្ធិអំណាចដល់ឧស្សាហកម្មនានា ដើម្បីសម្រេចបាននូវភាពជាក់លាក់ និងប្រសិទ្ធភាពដែលមិនអាចប្រៀបផ្ទឹមបាន ដែលជំរុញឱ្យមានវឌ្ឍនភាពក្នុងការស្រាវជ្រាវ និងការផលិតនៅទូទាំងពិភពលោក។
រក្សាសិទ្ធិ © 2025 Time Tech Spectra ។ រក្សាសិទ្ធិគ្រប់យ៉ាង..| ផែនទីគេហទំព័រ | គោលការណ៍ឯកជនភាព