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Tecnologia não destrutiva de inspeção de defeitos de deslocamento auxilia no estudo do mecanismo de crescimento de defeitos de deslocamento em cristal de SiC

Defeitos de deslocamento em wafers de SiC, como TSD, TED e BPD, limitam criticamente o rendimento e a confiabilidade do dispositivo, enquanto seus mecanismos de crescimento permanecem insuficientemente compreendidos. Este trabalho apresenta um método de inspeção rápido e não destrutivo baseado em espectroscopia de absorção transitória e algoritmos de IA para detecção e classificação precisa de defeitos. O estudo revela modos distintos de crescimento de luxações rosqueadas e identifica relações de transformação entre luxações e defeitos do plano basal. Essas descobertas fornecem novos insights sobre o crescimento do cristal de SiC e apoiam um melhor controle de defeitos e qualidade do wafer na fabricação de semicondutores.

27 de março de 2026
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Uma série sobre TAS - Aplicações em sistemas semicondutores nanocristais e de pontos quânticos

A espectroscopia de absorção transitória, além de sua aplicação no estudo de sistemas moleculares, é um método técnico crítico para explorar a dinâmica do estado excitado de nanocristais semicondutores ou pontos quânticos. Nesta discussão, usaremos pontos quânticos semicondutores como exemplo para elucidar

30 de maio de 2023
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Uma Série sobre TAS - Aplicação em Sistemas Moleculares

No artigo anterior, examinamos minuciosamente o processo básico e os princípios detalhados da detecção por espectroscopia de absorção transitória. Neste artigo, exploraremos ainda mais a aplicação da espectroscopia de absorção transiente ultrarrápida em sistemas moleculares, com foco tanto em transientes ultrarrápidos

05 de maio de 2023
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Fotólise com Flash Laser: Análise Mecanística e Cinética da Degradação de Poluentes Induzida por Radicais

Este artigo explora a aplicação da fotólise por flash a laser (LFP) no campo da degradação de poluentes mediada por radicais livres e do controle da poluição da água. Ele começa com uma visão geral da estrutura e do modo de operação do instrumento LFP, seguido por uma discussão detalhada dos radicais livres intimamente relacionados à química ambiental, incluindo radicais hidroxila (HO•), radicais sulfato (SO₄•⁻) e espécies reativas de cloro (RCS). São examinados os métodos de geração e detecção desses radicais, com análise de sua formação e detecção em sistemas LFP. O objetivo é fornecer uma compreensão mais profunda das técnicas LFP e promover a sua aplicação mais ampla na pesquisa ambiental.

06 de março de 2024
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Uma Série sobre TAS - Princípios Básicos de Espectroscopia de Absorção Transiente

Procedimentos básicos de espectroscopia de absorção transitória e seus princípios subjacentes.

09 de março de 2023
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