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La tecnología de inspección de defectos de dislocación no destructiva ayuda al estudio del mecanismo de crecimiento de los defectos de dislocación en cristal de SiC

Los defectos de dislocación en las obleas de SiC, como TSD, TED y BPD, limitan críticamente el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo, mientras que sus mecanismos de crecimiento siguen sin comprenderse lo suficiente. Este trabajo presenta un método de inspección rápido y no destructivo basado en espectroscopia de absorción transitoria y algoritmos de IA para una detección y clasificación precisas de defectos. El estudio revela distintos modos de crecimiento de las dislocaciones de roscado e identifica relaciones de transformación entre las dislocaciones y los defectos del plano basal. Estos hallazgos proporcionan nuevos conocimientos sobre el crecimiento de los cristales de SiC y respaldan un mejor control de defectos y la calidad de las obleas en la fabricación de semiconductores.

27 de marzo de 2026
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Una serie sobre TAS: aplicaciones en sistemas de puntos cuánticos y nanocristales semiconductores

La espectroscopia de absorción transitoria, además de su aplicación en el estudio de sistemas moleculares, es un método técnico fundamental para explorar la dinámica del estado excitado de nanocristales semiconductores o puntos cuánticos. En esta discusión, usaremos puntos cuánticos semiconductores como ejemplo para dilucidar

30 mayo 2023
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Una serie sobre TAS: aplicación en sistemas moleculares

En el artículo anterior, examinamos a fondo el proceso básico y los principios detallados de la detección por espectroscopia de absorción transitoria. En este artículo, exploraremos más a fondo la aplicación de la espectroscopia de absorción transitoria ultrarrápida en sistemas moleculares, centrándonos tanto en la espectroscopía de absorción transitoria ultrarrápida

05 mayo 2023
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Fotólisis con flash láser: análisis mecanicista y cinético de la degradación de contaminantes inducida por radicales

Este artículo explora la aplicación de la fotólisis por flash láser (LFP) en el campo de la degradación de contaminantes mediada por radicales libres y el control de la contaminación del agua. Comienza con una descripción general de la estructura y el modo de funcionamiento del instrumento LFP, seguida de una discusión detallada de los radicales libres estrechamente relacionados con la química ambiental, incluidos los radicales hidroxilo (HO•), los radicales sulfato (SO₄•⁻) y las especies reactivas de cloro (RCS). Se examinan los métodos de generación y detección de estos radicales, con análisis de su formación y detección en sistemas LFP. El objetivo es proporcionar una comprensión más profunda de las técnicas de LFP y promover su aplicación más amplia en la investigación ambiental.

06 marzo 2024
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Una serie sobre TAS: principios básicos de la espectroscopia de absorción transitoria

Procedimientos básicos de espectroscopia de absorción transitoria y sus principios subyacentes.

09 marzo 2023
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