Der SR-9000 ist für die Defektprüfungsanforderungen von SiC-Epitaxiewafern und -Chips konzipiert. Es zielt auf die aktuellen Einschränkungen bei der epitaktischen Waferinspektion ab, bei der eine genaue Quantifizierung und räumliche Verteilung von TSD- und TED-Defekten schwierig zu erreichen ist. Durch die hochpräzise Erkennung ermöglicht das System die genaue Identifizierung und Lokalisierung von TSD-Defekten in der SiC-Epitaxie und in Chips und bietet so eine entscheidende Unterstützung für die weitere Verbesserung der Chipausbeute und -leistung.
Das System unterstützt die Fehlerinspektion von SiC-Epitaxiewafern (musterfrei) und Chips (gemustert) und ermöglicht die Identifizierung und Klassifizierung von TSD, TED und anderen Fehlertypen, einschließlich BPD, SF, SSF, BSF, Dreiecksfehler und Karottenfehler. Es erreicht eine extrem hohe Lokalisierungsgenauigkeit mit einer TSD/TED-Lokalisierungsgenauigkeit <1 μm und einer Chipstruktur-Lokalisierungsgenauigkeit <1 μm. Der Systemdurchsatz beträgt 4–5 Wafer pro Stunde für 6-Zoll-Wafer und 2–3 Wafer pro Stunde für 8-Zoll-Wafer.
Das System unterstützt die Fehlerinspektion von SiC-Epitaxiewafern (musterfrei) und Chips (gemustert) und ermöglicht die Identifizierung und Klassifizierung von TSD, TED und anderen Fehlertypen, einschließlich BPD, SF, SSF, BSF, Dreiecksfehler und Karottenfehler. Es erreicht eine extrem hohe Lokalisierungsgenauigkeit mit einer TSD/TED-Lokalisierungsgenauigkeit <1 μm und einer Chipstruktur-Lokalisierungsgenauigkeit <1 μm. Der Systemdurchsatz beträgt 4–5 Wafer pro Stunde für 6-Zoll-Wafer und 2–3 Wafer pro Stunde für 8-Zoll-Wafer.
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