Rumah Produk1

SIRI PENYERAPAN TRANSISI

Sistem Pengesanan Super-Resolution SR-9000 untuk SiC EPI-Wafers dan Peranti

Kebolehtunaian panjang gelombang dalam reka bentuk perindustrian

Penyelesaian kotak tunggal

Model boleh tala atau panjang gelombang tetap

Pemasangan plug-and-play dan prestasi yang mantap

OPA paling padat di pasaran

Muat turun lembaran data

Tanya

Sistem Pengesanan Super-Resolution SR-9000 untuk SiC EPI-Wafers dan Peranti

SR-9000 direka bentuk untuk menangani keperluan pemeriksaan kecacatan wafer dan cip epitaxial SiC. Ia menyasarkan pengehadan semasa dalam pemeriksaan wafer epitaxial, di mana kuantifikasi yang tepat dan pengedaran spatial kecacatan TSD dan TED sukar diperoleh. Melalui pengesanan ketepatan tinggi, sistem ini membolehkan pengenalpastian tepat dan penyetempatan kecacatan TSD dalam epitaksi dan cip SiC, memberikan sokongan kritikal untuk meningkatkan lagi hasil dan prestasi cip.

Sistem ini menyokong pemeriksaan kecacatan wafer epitaxial SiC (bebas corak) dan cip (bercorak), membolehkan pengenalpastian dan pengelasan TSD, TED dan jenis kecacatan lain, termasuk BPD, SF, SSF, BSF, kecacatan segi tiga dan kecacatan lobak merah. Ia mencapai ketepatan penyetempatan ultra tinggi, dengan ketepatan penyetempatan TSD/TED <1 μm dan ketepatan penyetempatan struktur cip <1 μm. Daya pemprosesan sistem ialah 4–5 wafer sejam untuk wafer 6 inci dan 2–3 wafer sejam untuk wafer 8 inci.

CIRI-CIRI PRODUK

Multi-mod Multi-range Pengesanan: Dilengkapi dengan penghantaran, pantulan, dan mod pengujaan belakang. Spektrum pengesanan meliputi jalur UV hingga NIR, sesuai untuk sampel pelbagai termasuk dimer tetracene dan titik kuantum CdSe, memberikan prestasi cemerlang merentas julat UV-NIR.

Resolusi Tinggi: Resolusi sementara ≤1.5×lebar nadi laser femtosaat; Resolusi spatial ≤1μm (modul pengimejan dinamik mikroskopik). Mendayakan penangkapan tepat proses sementara, menyokong kajian migrasi pembawa dalam fotokatalisis dan sel solar perovskit.

Automasi & Perisikan: Pensuisan/penentukuran laluan optik automatik sepenuhnya memastikan kestabilan operasi. Perisian bersepadu untuk pemerolehan/analisis data meningkatkan kecekapan percubaan.

Kebolehkembangan Tinggi: Reka bentuk modular membenarkan peningkatan konfigurasi yang fleksibel.

SPESIFIKASI

Utama

Jenis laser	TA-AUTO	TA-MINI
Julat spektrum (berasaskan laser 1030 nm）	380—650 nm	380—650 nm
		480—950 nm	480—950 nm（Lalai）
		1100—1650 nm	—
Mod	Pam penghantaran/pantulan/bahagian belakang
Tetingkap masa	8 ns
Sensitiviti	0.1 mOD, sehingga 0.02 mOD
Pemegang sampel	Larutan, filem dan serbuk
Perisian	Pemerolehan data, analisis dan pemasangan
IRF	≤1.5x Lebar nadi
Sistem automasi	Penukaran automatik julat spektrum
		Penjajaran rasuk pam automatik
		Penjajaran talian kelewatan optik automatik

Modul Pengimejan Mikro Penyelesaian Masa


Mod	Pemerolehan spektroskopi mikro/pengimejan TA medan lebar/pengimejan resapan pembawa
Resolusi spatial	≤1 μm
Julat panjang gelombang	400-800 nm
Ketepatan migrasi pembawa	100 nm

Modul Peningkatan TA Nanosaat

Mod			Transmisi/Pantulan boleh tukar
Julat Pengesanan Spektrum			360-1700 nm
Tetingkap masa			≤ 450 μs
Resolusi Masa			1 ns
Sensitiviti Pengesanan Maksimum			≤ 0.1 mOD
Laser NS-SC	Julat Spektrum	350-1800 nm
		Lebar Nadi	~800 ms
		Kadar Pengulangan	2 KHz
		Kestabilan Kuasa	±1%
		Jumlah Purata Kuasa Optik	>5 mW

Modul Pengujaan Elektrik


Voltan Maksimum	±5 V（±10 V)
Lebar Nadi	6 ns - 999.99 s
Kadar Pengulangan	1 μHz - 80 MHz
Masa Nadi Elektrik (0-5 V)	≤5 ns (Lalai), pilihan ≤2 ns

CONTOH APLIKASI PENYERAPAN ULTRAFAST TRANSISIEN

Data Julat UV

Contoh Eksperimen

Sampel	Filem Nipis Perovskite
Panjang Gelombang Pengujaan	405 nm
Panjang Gelombang Probe	UV

Data Julat Kelihatan


Sampel	Ni-TPA
Panjang Gelombang Pengujaan	370 nm
Panjang Gelombang Probe	Kelihatan

Data Julat NIR


Sampel	grafit
Panjang Gelombang Pengujaan	495 nm
Panjang Gelombang Probe	NIR

Penghantaran Mikro TA


Sampel	Lapisan tunggal WS2 (substrat: nilam)
Panjang Gelombang Pengujaan	515 nm
Panjang Gelombang Probe	Kelihatan

Refleksi Mikro TA


Sampel	WS2 berbilang lapisan (substrat: Si)
Panjang Gelombang Pengujaan	515 nm
Panjang Gelombang Probe	Kelihatan

Pengimejan TA medan luas


Sampel	Monolayer WS2
Panjang Gelombang Pengujaan	515 nm
Panjang Gelombang Probe	610 nm

Pengimejan Inframerah Berdekatan


Sampel	WS2
Panjang Gelombang Pengujaan	515 nm
Panjang Gelombang Probe	900 nm

Rajah Data Migrasi Pembawa


Sampel	Kuprum Fluoro-oksititanat jenis Perovskite
Panjang Gelombang Pengujaan	650 nm
Panjang Gelombang Probe	800 nm

PENERBITAN

MUAT TURUN

Sistem Pengesanan Super-Resolution SR-9000 untuk SiC EPI-Wafers dan Peranti

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Suntikan elektron dan pempasifan kecacatan untuk sel suria mesoporous perovskite berkecekapan tinggi

Menyingkap Resapan Spatiotemporal Pembawa Panas Dipengaruhi oleh Kesan Bottleneck Fonon Panas Tidak Seragam Ruang dalam Monolayer MoS2

Penyiasatan Ultra Pantas Sistem Gandingan Kuat antara Tatasusunan Nanohole Square Ag dan Monolayer WS2

Titik Kuantum Perovskite CsPbI3 yang Sangat Cekap dan Stabil Diod Pemancar Cahaya Melalui Kesan Sinergis Modulasi Kaya Halida dan Pembaikan Kekisi

Mobiliti Ambipolar Tinggi dan Pengangkutan Pembawa Jarak Jauh dalam Lembaran Nano Fosforus Violet

Pertumbuhan faset-selektif bagi halida perovskite/semikonduktor 2D heterostruktur van der Waals untuk keuntungan optik dan pengikat yang lebih baik

Memvisualisasikan Resapan Pembawa dalam Filem Nipis Cs-Doping FAPbI3 Perovskite Menggunakan Mikroskopi Penyerapan Sementara

Singlet kejuruteraan dan pengujaan triplet bagi pemancar TADF oleh interaksi hos-tetamu yang berbeza

Molekul monolayer tersusun sendiri yang dirangsang penghubung terkonjugasi untuk sel suria perovskit terbalik

Menala Sepanjang Hayat Berpolar Putaran pada Ketumpatan Pembawa Tinggi melalui Potensi Ubah Bentuk dalam Perovskit Fasa Dion–Jacobson

Pengaliran foto daripada Kitaran Foto Bent-ke-Planar antara Tanah dan Keadaan Teruja dalam Persimpangan Molekul Tunggal

Pengagregatan Dipertingkatkan Pendarfluor Tertunda Diaktifkan Secara Terma melalui Peraturan Gandingan Spin-Orbit

Meningkatkan Kinetik Pemindahan Caj Antara Muka untuk Pengurangan Foto CO2 Keseluruhan yang Cekap melalui Reka Bentuk Rasional Sfera Penyelarasan pada Rangka Kerja Logam-Organik

Transformasi Dinamik Perovskit Dua Dimensi dengan Kation Bergantian dalam Ruang Interlayer untuk Fotovoltaik Berprestasi Tinggi

Pemindahan Tenaga Triplet daripada CsPbBr3 Nanocrystals Didayakan oleh Kuantum Confinement

Mengawal Exciton dan Dinamik Lembah dalam Heterostruktur Dua Dimensi dengan Jarak Antara Lapisan Tepat Secara Atom

Kategori Produk

Pautan Pantas