Rumah Produk1

SIRI PENYERAPAN TRANSISI

Sistem Pemeriksaan Kecacatan Substrat SL-9000 InP / GaAs

Kebolehtunaian panjang gelombang dalam reka bentuk perindustrian

Penyelesaian kotak tunggal

Model boleh tala atau panjang gelombang tetap

Pemasangan plug-and-play dan prestasi yang mantap

OPA paling padat di pasaran

Muat turun lembaran data

Tanya

Sistem Pemeriksaan Kecacatan Substrat SL-9000 InP / GaAs

SL-9000 ialah sistem pemeriksaan optik tidak merosakkan untuk substrat semikonduktor kompaun, direka terutamanya untuk indium phosphide (InP), dengan kebolehskalaan kepada gallium arsenide (GaAs). Sesuai untuk kedua-dua substrat konduktif dan separa penebat, imej sistem dan peta kehelan benang dan kecacatan kekisi lain untuk menyokong penilaian kualiti substrat dan pengoptimuman proses.

Menggunakan pelindapkejutan photoluminescence (PL) akibat kecacatan, SL-9000 mendedahkan ciri mikroskopik dan taburan ruang kehelan melalui variasi dalam keamatan luminescence, tanpa goresan kimia yang merosakkan. Untuk substrat InP, kedalaman pemeriksaan adalah lebih kurang 1-3 μm di bawah permukaan. Kajian perbandingan ke atas sampel InP yang didop sulfur dan didop besi menunjukkan kesesuaian yang baik antara kehelan yang dipetakan secara optik dan hasil pemeriksaan lubang etsa.

Dilengkapi dengan sistem analisis AI dan serasi dengan pemeriksaan medan terang dan medan gelap, SL-9000 juga menyokong penilaian kecacatan permukaan, termasuk calar, zarah dan pencemaran. Menggabungkan pemeriksaan tidak merosakkan dengan pengukuran yang cekap, ia menyokong penyelidikan substrat semikonduktor kompaun, pembuatan dan kawalan kualiti.

CIRI-CIRI PRODUK

Multi-mod Multi-range Pengesanan: Dilengkapi dengan penghantaran, pantulan, dan mod pengujaan belakang. Spektrum pengesanan meliputi jalur UV ke NIR, sesuai untuk sampel pelbagai termasuk dimer tetracene dan titik kuantum CdSe, memberikan prestasi cemerlang merentas julat UV-NIR.

Resolusi Tinggi: Resolusi sementara ≤1.5×lebar nadi laser femtosaat; Resolusi spatial ≤1μm (modul pengimejan dinamik mikroskopik). Mendayakan penangkapan tepat proses sementara, menyokong kajian migrasi pembawa dalam fotokatalisis dan sel solar perovskit.

Automasi & Perisikan: Pensuisan/penentukuran laluan optik automatik sepenuhnya memastikan kestabilan operasi. Perisian bersepadu untuk pemerolehan/analisis data meningkatkan kecekapan percubaan.

Kebolehkembangan Tinggi: Reka bentuk modular membenarkan peningkatan konfigurasi yang fleksibel.

SPESIFIKASI

Utama

Jenis laser	TA-AUTO	TA-MINI
Julat spektrum (berasaskan laser 1030 nm）	380—650 nm	380—650 nm
		480—950 nm	480—950 nm（Lalai）
		1100—1650 nm	—
Mod	Pam penghantaran/pantulan/bahagian belakang
Tetingkap masa	8 ns
Sensitiviti	0.1 mOD, sehingga 0.02 mOD
Pemegang sampel	Larutan, filem dan serbuk
Perisian	Pemerolehan data, analisis dan pemasangan
IRF	≤1.5x Lebar nadi
Sistem automasi	Penukaran automatik julat spektrum
		Penjajaran rasuk pam automatik
		Penjajaran talian kelewatan optik automatik

Modul Pengimejan Mikro Penyelesaian Masa


Mod	Pemerolehan spektroskopi mikro/pengimejan TA medan lebar/pengimejan resapan pembawa
Resolusi spatial	≤1 μm
Julat panjang gelombang	400-800 nm
Ketepatan migrasi pembawa	100 nm

Modul Peningkatan TA Nanosaat

Mod			Transmisi/Pantulan boleh tukar
Julat Pengesanan Spektrum			360-1700 nm
Tetingkap masa			≤ 450 μs
Resolusi Masa			1 ns
Sensitiviti Pengesanan Maksimum			≤ 0.1 mOD
Laser NS-SC	Julat Spektrum	350-1800 nm
		Lebar Nadi	~800 ms
		Kadar Pengulangan	2 KHz
		Kestabilan Kuasa	±1%
		Jumlah Purata Kuasa Optik	>5 mW

Modul Pengujaan Elektrik


Voltan Maksimum	±5 V（±10 V)
Lebar Nadi	6 ns - 999.99 s
Kadar Pengulangan	1 μHz - 80 MHz
Masa Nadi Elektrik (0-5 V)	≤5 ns (Lalai), pilihan ≤2 ns

CONTOH APLIKASI PENYERAPAN ULTRAFAST TRANSISIEN

Data Julat UV

Contoh Eksperimen

Sampel	Filem Nipis Perovskite
Panjang Gelombang Pengujaan	405 nm
Panjang Gelombang Probe	UV

Data Julat Kelihatan


Sampel	Ni-TPA
Panjang Gelombang Pengujaan	370 nm
Panjang Gelombang Probe	Kelihatan

Data Julat NIR


Sampel	grafit
Panjang Gelombang Pengujaan	495 nm
Panjang Gelombang Probe	NIR

Penghantaran Mikro TA


Sampel	Lapisan tunggal WS2 (substrat: nilam)
Panjang Gelombang Pengujaan	515 nm
Panjang Gelombang Probe	Kelihatan

Refleksi Mikro TA


Sampel	WS2 berbilang lapisan (substrat: Si)
Panjang Gelombang Pengujaan	515 nm
Panjang Gelombang Probe	Kelihatan

Pengimejan TA medan luas


Sampel	Monolayer WS2
Panjang Gelombang Pengujaan	515 nm
Panjang Gelombang Probe	610 nm

Pengimejan Inframerah Berdekatan


Sampel	WS2
Panjang Gelombang Pengujaan	515 nm
Panjang Gelombang Probe	900 nm

Rajah Data Migrasi Pembawa


Sampel	Kuprum Fluoro-oksititanat jenis Perovskite
Panjang Gelombang Pengujaan	650 nm
Panjang Gelombang Probe	800 nm

PENERBITAN

MUAT TURUN

Sistem Pemeriksaan Kecacatan Substrat SL-9000 InP / GaAs

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Contoh Eksperimen

Suntikan elektron dan pempasifan kecacatan untuk sel suria mesoporous perovskite berkecekapan tinggi

Menyingkap Resapan Spatiotemporal Pembawa Panas yang Dipengaruhi oleh Kesan Bottleneck Fonon Panas Tidak Seragam Ruang dalam Monolayer MoS2

Penyiasatan Ultrapantas Sistem Gandingan Kuat antara Tatasusunan Nanohole Square Ag dan Monolayer WS2

Diod Pemancar Cahaya CsPbI3 Perovskite Quantum Dots yang Sangat Cekap dan Stabil Melalui Kesan Sinergis Modulasi Kaya Halida dan Pembaikan Kekisi

Mobiliti Ambipolar Tinggi dan Pengangkutan Pembawa Jarak Jauh dalam Lembaran Nano Fosforus Violet

Pertumbuhan faset-selektif bagi halida perovskite/semikonduktor 2D heterostruktur van der Waals untuk keuntungan optik dan pengikat yang lebih baik

Memvisualisasikan Resapan Pembawa dalam Filem Nipis FAPbI3 Perovskite Cs-Doping Menggunakan Mikroskopi Penyerapan Sementara

Singlet kejuruteraan dan pengujaan triplet bagi pemancar TADF oleh interaksi hos-tetamu yang berbeza

Molekul monolayer terpasang sendiri yang dirangsang oleh penghubung terkonjugasi untuk sel suria perovskit terbalik

Menala Sepanjang Hayat Berpolar Putaran pada Ketumpatan Pembawa Tinggi melalui Potensi Ubah Bentuk dalam Perovskit Fasa Dion–Jacobson

Pengaliran foto daripada Kitaran Foto Bent-ke-Planar antara Tanah dan Keadaan Teruja dalam Persimpangan Molekul Tunggal

Pengagregatan Dipertingkatkan Pendarfluor Tertunda Diaktifkan Secara Terma melalui Peraturan Gandingan Spin-Orbit

Meningkatkan Kinetik Pemindahan Caj Antara Muka untuk Pengurangan Foto CO2 Keseluruhan yang Cekap melalui Reka Bentuk Rasional Sfera Penyelarasan pada Rangka Kerja Logam-Organik

Transformasi Dinamik Perovskit Dua Dimensi dengan Kation Bergantian dalam Ruang Interlayer untuk Fotovoltaik Berprestasi Tinggi

Pemindahan Tenaga Triplet daripada CsPbBr3 Nanocrystals Didayakan oleh Kuantum Kurung

Mengawal Exciton dan Dinamik Lembah dalam Heterostruktur Dua Dimensi dengan Jarak Antara Lapisan Tepat Secara Atom

Kategori Produk

Pautan Pantas