O SR-9000 foi projetado para atender aos requisitos de inspeção de defeitos de wafers e chips epitaxiais de SiC. Ele visa a limitação atual na inspeção de wafers epitaxiais, onde a quantificação precisa e a distribuição espacial de defeitos de TSD e TED são difíceis de obter. Através da detecção de alta precisão, o sistema permite a identificação e localização precisas de defeitos de TSD na epitaxia e nos chips de SiC, fornecendo suporte crítico para melhorar ainda mais o rendimento e o desempenho dos chips.
O sistema oferece suporte à inspeção de defeitos de wafers epitaxiais de SiC (sem padrão) e chips (padronizados), permitindo a identificação e classificação de TSD, TED e outros tipos de defeitos, incluindo BPD, SF, SSF, BSF, defeitos triangulares e defeitos cenoura. Ele atinge precisão de localização ultra-alta, com precisão de localização TSD/TED <1 μm e precisão de localização da estrutura do chip <1 μm. A produtividade do sistema é de 4 a 5 wafers por hora para wafers de 6 polegadas e de 2 a 3 wafers por hora para wafers de 8 polegadas.
O sistema oferece suporte à inspeção de defeitos de wafers epitaxiais de SiC (sem padrão) e chips (padronizados), permitindo a identificação e classificação de TSD, TED e outros tipos de defeitos, incluindo BPD, SF, SSF, BSF, defeitos triangulares e defeitos cenoura. Ele atinge precisão de localização ultra-alta, com precisão de localização TSD/TED <1 μm e precisão de localização da estrutura do chip <1 μm. A produtividade do sistema é de 4 a 5 wafers por hora para wafers de 6 polegadas e de 2 a 3 wafers por hora para wafers de 8 polegadas.
RECURSO DE PRODUTOS
ESPECIFICAÇÕES
EXEMPLOS DE APLICAÇÃO DE ABSORÇÃO TRANSITÓRIA ULTRA-RÁPIDA
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