웨이퍼 4~5개/시간(6'), 웨이퍼 2~3개/시간(8')
| 가용성을 위한 SR-9000 초해상도 감지 시스템: | |||||||||
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| SR-9000은 SiC 에피택셜 웨이퍼 및 칩의 결함 검사 요구 사항을 해결하도록 설계되었습니다. 이는 TSD 및 TED 결함의 정확한 정량화 및 공간 분포를 얻기 어려운 에피택셜 웨이퍼 검사의 현재 한계를 목표로 합니다. 고정밀 감지를 통해 이 시스템은 SiC 에피택시 및 칩의 TSD 결함을 정확하게 식별하고 위치를 파악하여 칩 수율 및 성능을 더욱 향상시키는 데 중요한 지원을 제공합니다.
이 시스템은 SiC 에피택시 웨이퍼(패턴 프리)와 칩(패턴)의 결함 검사를 지원하여 TSD, TED 및 BPD, SF, SSF, BSF, 삼각 결함, 당근 결함 등 기타 결함 유형을 식별하고 분류할 수 있습니다. TSD/TED 위치 파악 정확도 <1μm, 칩 구조 위치 파악 정확도 <1μm로 매우 높은 위치 파악 정확도를 달성합니다. 시스템 처리량은 6인치 웨이퍼의 경우 시간당 4~5장의 웨이퍼, 8인치 웨이퍼의 경우 시간당 2~3장의 웨이퍼입니다. |
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SR 9000
주요 특징
SiC 에피택시 웨이퍼(비패턴) 및 칩(패턴)에 대한 결함 감지 지원
에피택셜 웨이퍼의 TSD 및 TED 결함을 정확하게 식별하고 분류합니다.
매우 높은 포지셔닝 정확도(공간 분해능): TSD/TED 포지셔닝 정확도 < 1μm; 칩 구조 정확도 < 1μm
업계의 과제 극복
현재 SiC 에피택셜 웨이퍼의 결함 감지에는 TSD 및 TED의 수량과 분포에 대한 정확한 정보가 부족합니다. 장치 제조업체가 칩 오류율과 신뢰성에 대해 점점 더 엄격한 요구 사항을 적용함에 따라 TSD와 같은 미세한 결함이 장치에 미치는 영향이 특히 중요해졌습니다. SR9000은 고정밀 감지를 통해 SiC 에피택시 레이어 및 칩의 TSD 결함을 정확하게 식별하고 위치를 파악할 수 있어 칩 수율 및 성능을 더욱 향상시킬 수 있는 중요한 기반을 제공합니다.
명세서
| 처리량 |
웨이퍼 4~5개/시간(6'), 웨이퍼 2~3개/시간(8') |
지원되는 검사 대상 |
SiC 에피택셜 웨이퍼, 패턴화된(장치 수준) SiC 웨이퍼, 이온 주입된 SiC 웨이퍼, 금속층 박리 후의 SiC 웨이퍼/장치 |
| 호환 가능한 샘플 크기 | 6', 8' 및 12 |
검사 결함 유형 |
TSD, TED, BPD, SF, SSF, BSF, 삼각결함, 당근결함 등 |
| 결함 위치 정확도 |
< 1μm |
패턴 웨이퍼 감지 |
장치 기능 구조의 식별 및 위치 지정 가능 |
사례 사례
업계의 문제점 해결

기판 웨이퍼의 Si 표면 및 C 표면 검사의 타당성
