4-5 obleas/hora (6'); 2-3 obleas/hora (8')
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| El SR-9000 está diseñado para abordar los requisitos de inspección de defectos de obleas y chips epitaxiales de SiC. Se dirige a la limitación actual en la inspección de obleas epitaxiales, donde es difícil obtener una cuantificación precisa y una distribución espacial de los defectos TSD y TED. A través de la detección de alta precisión, el sistema permite la identificación y localización precisa de defectos de TSD en epitaxia y chips de SiC, brindando un soporte fundamental para mejorar aún más el rendimiento y el rendimiento de los chips.
El sistema admite la inspección de defectos de obleas epitaxiales de SiC (sin patrón) y chips (con patrón), lo que permite la identificación y clasificación de TSD, TED y otros tipos de defectos, incluidos BPD, SF, SSF, BSF, defectos triangulares y defectos de zanahoria. Logra una precisión de localización ultraalta, con una precisión de localización TSD/TED <1 μm y una precisión de localización de la estructura del chip <1 μm. El rendimiento del sistema es de 4 a 5 obleas por hora para obleas de 6 pulgadas y de 2 a 3 obleas por hora para obleas de 8 pulgadas. |
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SR 9000
Ejemplos de casos
Abordar los puntos débiles de la industria
Viabilidad de inspeccionar la superficie Si y la superficie C de obleas de sustrato
