មើល៖ 0 អ្នកនិពន្ធ៖ កម្មវិធីនិពន្ធគេហទំព័រ ពេលវេលាបោះពុម្ព៖ 09-22-2026 ប្រភពដើម៖ គេហទំព័រ
អាយុកាលរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិចគឺជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រមូលដ្ឋានដែលកំណត់លក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តនៃសម្ភារៈ semiconductor ។ វាកំណត់ដោយផ្ទាល់នូវប្រវែងនៃការសាយភាយរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន និងល្បឿន/ប្រេកង់នៃការផ្លាស់ប្តូរឧបករណ៍ ខណៈពេលដែលវាដើរតួជាសូចនាកររសើបនៃគុណភាពបន្ទះឈើ - ការឆ្លុះបញ្ចាំងពីចំណុចខ្វះខាត ការរួមបញ្ចូលភាពមិនបរិសុទ្ធ និងការប្រមូលផ្តុំសារធាតុ doping - ដូច្នេះបង្កើតជាគោលដ៏សំខាន់មួយសម្រាប់គុណវុឌ្ឍិសម្ភារៈ និងការវាយតម្លៃការអនុវត្ត។
ចំណុចខ្វះខាត (ឧ. ភាពទំនេរនៃកាបូន និងភាពមិនបរិសុទ្ធ) និងការប្រមូលផ្តុំសារធាតុ doping (ឧ. សារធាតុពុលអាសូត) នៅក្នុង SiC wafers មានឥទ្ធិពលយ៉ាងខ្លាំងទៅលើអាយុកាលរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិច ដោយការណែនាំមជ្ឈមណ្ឌលផ្សំឡើងវិញដែលមិនមែនជាវិទ្យុសកម្ម។ ជាពិសេស ដង់ស៊ីតេនៃចំណុចខ្វះខាតដែលកើនឡើងធ្វើឱ្យអាយុកាលរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនខ្លី ជាសញ្ញាបង្ហាញពីគុណភាពបន្ទះឈើដែលខូច ដែលនាំឱ្យការធន់ទ្រាំនឹងកើនឡើង និងធ្វើឱ្យខូចដល់រង្វាស់នៃដំណើរការអគ្គិសនីសំខាន់ៗ រួមទាំងចរន្តលេចធ្លាយ និងការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងក្នុងរដ្ឋ។ ជាងនេះទៅទៀត ពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនបង្ហាញពីការពឹងផ្អែកខ្លាំងលើកំហាប់សារធាតុ doping ។ ហេតុដូច្នេះហើយ រូបភាពលំហយ៉ាងរហ័ស ត្រឹមត្រូវ និងគុណភាពបង្ហាញខ្ពស់នៃក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិចពេញមួយជីវិតរបស់ SiC wafers គឺជាការចាំបាច់សម្រាប់ការវាយតម្លៃគុណភាពសម្ភារៈ ការត្រួតពិនិត្យឯកសណ្ឋាន doping ការបង្កើនប្រសិទ្ធភាពដំណើរការ និងការបង្កើនទិន្នផល។
រូបភាពទី 1 ការបង្ហាញពីគ្រោងការណ៍នៃគោលការណ៍វាស់វែងពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិច។
បច្ចុប្បន្ននេះ មីក្រូវ៉េវ photoconductive decay (μ-PCD) នៅតែជាវិធីសាស្រ្តស្ដង់ដារឧស្សាហកម្មសម្រាប់ការកំណត់លក្ខណៈពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិច SiC ។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ បច្ចេកទេសនេះត្រូវបានបង្កើតឡើងដំបូងសម្រាប់សមា្ភារៈស៊ីលីកុនធម្មតា ដែលអាយុកាលជាមធ្យមលើសពី 10 µs ។ ផ្ទុយទៅវិញ SiC មានភាពខុសប្លែកគ្នាយ៉ាងខ្លាំងពី Si នៅក្នុងវិធីសាស្រ្តនៃការលូតលាស់ ប៉ារ៉ាម៉ែត្រដំណើរការ និងធាតុផ្សំនៃធាតុ។ លើសពីនេះទៅទៀត ការប្រែប្រួលនៃកំហាប់សារធាតុ doping និងកម្រាស់ស្រទាប់ epitaxial ផ្តល់នូវការកើនឡើងនូវអាយុកាលដ៏ធំទូលាយរបស់ SiC ដែលលាតសន្ធឹងពីក្រោម 100 ns ដល់ microseconds ជាច្រើន ដែលកំណត់ការទាមទារដ៏តឹងរ៉ឹងជាងនេះទៅទៀតលើភាពត្រឹមត្រូវនៃការវាស់វែងដែល μ-PCD ធម្មតាមិនអាចជួបបាន៖
ដំណោះស្រាយបណ្តោះអាសន្នមានកំណត់ (~50 ns សម្រាប់ μ-PCD) ដោយមិនរាប់បញ្ចូលការកំណត់លក្ខណៈត្រឹមត្រូវនៃស្រទាប់ epitaxial ស្តើង និងស្រទាប់ខាងក្រោមដែលមានអាយុកាលខ្លី។
គុណភាពបង្ហាញលំហមិនល្អ កំណត់ដោយការស៊ើបអង្កេតមីក្រូវ៉េវដល់ខ្នាតប្រហែលមិល្លីម៉ែត្រ (~1 ម.ម) មិនអាចធ្វើផែនទីចែកចាយកម្រិត wafer ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់បានទេ។
ការទិញស្កែនចង្អុលយឺត ដែលទាមទារពីរាប់សិបនាទីទៅជាងមួយម៉ោងសម្រាប់ wafer epitaxial 6 អ៊ីញ បរាជ័យក្នុងការបំពេញតម្រូវការត្រួតពិនិត្យការផលិតបរិមាណខ្ពស់នាពេលអនាគត។
ដើម្បីដោះស្រាយដោយផ្ទាល់នូវចំណុចឈឺចាប់ក្នុងឧស្សាហកម្មសំខាន់ៗទាំងនេះ Time-Tech Spectra បានបង្កើតប្រព័ន្ធរូបភាពរយៈពេលវែងនៃក្រុមហ៊ុនអាកាសចរណ៍ TAU-9000 Wafer Minority Imaging System ដែលបង្កើតឡើងនៅលើបច្ចេកវិទ្យាការថតរូបបែបវិសាលគមដែលបានដោះស្រាយពេលវេលា។ ជាមួយនឹងការធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវមុខងារដ៏ទូលំទូលាយនាពេលថ្មីៗនេះ (TAU-9000HR) ប្រព័ន្ធនេះតំណាងឱ្យរបកគំហើញដ៏សំខាន់នៅក្នុងសមត្ថភាពត្រួតពិនិត្យ SiC wafer ។
ប្រព័ន្ធនេះអនុញ្ញាតឱ្យរូបភាពពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនភាគតិច wafer ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ (100-μm) និងការគូសផែនទីឯកសណ្ឋាន ខណៈពេលដែលក៏គាំទ្រការថតរូបភាពមីក្រូតំបន់ដែលមានកម្រិតភាពច្បាស់ខ្ពស់ (គុណភាពបង្ហាញរងមីក្រូ) សម្រាប់តំបន់ដែលបានធ្វើមូលដ្ឋានីយកម្ម។ ប្រភពរំភើបផ្តល់នូវរលកចម្ងាយដែលអាចប្តូរបាននៅ 355 nm និង 266 nm ដែលអនុញ្ញាតឱ្យកំណត់លក្ខណៈដាច់ដោយឡែកនៃល្បឿននៃការផ្សំគ្នា និងផ្ទៃ។ លើសពីនេះ ប្រព័ន្ធដែលបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងអាចត្រូវបានកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធជាជម្រើសជាមួយនឹងបន្ទប់បូមធូលី ឬអាសូត-បន្សុត គាំទ្រការវាស់សីតុណ្ហភាពពីបន្ទប់រហូតដល់ 200°C និងមានមុខងារស្វ័យប្រវត្តិពេញលេញ ដែលធ្វើឱ្យវាសមស្របស្មើគ្នាសម្រាប់ទាំងការត្រួតពិនិត្យផលិតកម្មក្នុងបណ្តាញ និងកម្មវិធី R&D កម្រិតខ្ពស់។
រូបភាពទី 2 ទិដ្ឋភាពទូទៅនៃប្រព័ន្ធរូបភាពពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន Wafer Minority គុណភាពបង្ហាញខ្ពស់ TAU-9000HR ។
ចំណុចសំខាន់នៃប្រព័ន្ធ TAU-9000 ដែលបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើង
០១ | ការធ្វើផែនទីពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនភាគតិចដែលមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ Wafer
នៅក្នុងរបៀប wafer ពេញលេញ ប្រព័ន្ធផ្តល់នូវដំណោះស្រាយទំហំ 100 μm ដោយដោះស្រាយយ៉ាងច្បាស់លាស់នូវលក្ខណៈពិសេសនៃការចែកចាយពេញមួយជីវិតនៅទូទាំង wafer ទាំងមូល។ ស្ថាបត្យកម្មប្រព័ន្ធត្រូវបានរចនាឡើងដោយមានមាត្រដ្ឋានផលិតកម្មក្នុងចិត្ត គាំទ្រទំហំ wafer 6 អ៊ីញ 8 អ៊ីញ និង 12 អ៊ីញ ដើម្បីធានាបាននូវការត្រៀមខ្លួនក្នុងការត្រួតពិនិត្យសម្រាប់ការផលិតបរិមាណ SiC ខ្នាតធំជំនាន់ក្រោយ។ ដោយប្រើប្រាស់ការរចនាការទទួលបានទិន្នន័យដែលមានល្បឿនលឿន ពេលវេលាវាស់វែងសម្រាប់ wafer ទំហំ 6 អ៊ីងតែមួយត្រូវបានរក្សាក្នុងរយៈពេល 10 នាទី - សម្រេចបាននូវភាពប្រសើរឡើងជាច្រើនដងនៃលំហូរជាងវិធីសាស្ត្រ μ-PCD ធម្មតា។
រូបភាពទី 3 ការប្រៀបធៀបរូបភាពពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិច៖ TAU-9000HR ទល់នឹង μ-PCD ។ (ក) ការគូសផែនទីពេញមួយជីវិត ទទួលបាននៅលើ wafer SiC ទំហំ 6 អ៊ីញ ដោយប្រើប្រព័ន្ធ TAU-9000HR ដែលបង្ហាញពីដំណោះស្រាយទំហំ 0.1 មីលីម៉ែត្រ។ (b) ការធ្វើផែនទីពេញមួយជីវិតនៃ wafer ដូចគ្នាដែលទទួលបានដោយ μ-PCD ។ ចំណាំ គុណភាពបង្ហាញទំហំ (> 1 ម.ម) កំណត់ដោយការស៊ើបអង្កេតមីក្រូវ៉េវ។
០២ | រលករំញ័រដែលអាចប្តូរបាន (355/266 nm) ជាមួយនឹងប្រតិបត្តិការមុខងារ Dual-Mode ច្រើន/ផ្ទៃ — គ្មានការជ្រៀតជ្រែកស្រទាប់ខាងក្រោម
បំពាក់ជាមួយនឹងរលករំជើបរំជួលពីរនៅ 355 nm និង 266 nm ប្រព័ន្ធនេះប្រើជម្រៅនៃការស្រូបទាញអាស្រ័យលើប្រវែងរលកនៅក្នុង semiconductors ដើម្បីបើកដំណើរការការផ្លាស់ប្តូរដោយគ្មានថ្នេររវាងរបៀបកំណត់លក្ខណៈភាគច្រើន និងផ្ទៃ។ នៅក្រោមការរំភើបចិត្ត 266 nm សញ្ញាមានប្រភពចម្បងពីតំបន់ជិតផ្ទៃ (~1 µm ជម្រៅ) ចំណែកឯ 355 nm excitation probes the bulk from tens of micrometers in depth—បំបាត់ការជ្រៀតជ្រែកសញ្ញាដែលទាក់ទងនឹងស្រទាប់ខាងក្រោមយ៉ាងមានប្រសិទ្ធភាព។ តាមរយៈការប្រៀបធៀបការគូសផែនទីពេញមួយជីវិតដែលទទួលបាននៅចម្ងាយរលកទាំងពីរ ប្រព័ន្ធផ្តល់នូវការដោះស្រាយដោយឯករាជ្យនូវរូបភាពនៃអាយុកាលនៃក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនភាគតិចភាគច្រើន និងល្បឿននៃការផ្សំផ្ទៃ។
Fig.4 លទ្ធផលប្រៀបធៀបនៅលើ wafer epitaxial ក្រាស់ដូចគ្នានៅក្រោម 266 nm និង 355 nm រំភើប។ (ក) ការធ្វើផែនទីពេញមួយជីវិតក្រោមការរំភើបចិត្ត 355 nm (គ្របដណ្តប់ច្រើន)។ (ខ) ការធ្វើផែនទីពេញមួយជីវិតក្រោមការរំភើបចិត្ត 266 nm (គ្របដណ្ដប់លើផ្ទៃ)។ (គ) កាយវិភាគសាស្ត្របំបែកនៅដីឡូតិ៍ទី ១ សម្រាប់ប្រវែងរលករំភើបទាំងពីរ។ (ឃ) អាយុកាលនៃបរិមាណខាងក្នុង (τ ខ ) នៅឡូតិ៍ទី 1 ដែលត្រូវបានស្រង់ចេញតាមរយៈការសមជាសាកល ដែលរាប់បញ្ចូលសម្រាប់ការសាយភាយនៃក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន និងការផ្សំឡើងវិញលើផ្ទៃ។ (e) ការធ្វើផែនទីនៃល្បឿននៃការផ្សំផ្ទៃ S (cm/s) ។ (f) ការធ្វើផែនទីនៃអាយុកាលភាគច្រើន τ b (ns) ។
០៣ | ដំណោះស្រាយបណ្តោះអាសន្នខ្ពស់ ឆបគ្នាជាមួយទាំង Epitaxial និង Substrate Wafer Characterization
ជាមួយនឹងដំណោះស្រាយបណ្ដោះអាសន្ននៃ <2 ns ប្រព័ន្ធនេះជួយពង្រឹងសមត្ថភាពរាវរកដែលបានដោះស្រាយពេលវេលារបស់វា។ លើសពីការចាប់យកយ៉ាងច្បាស់លាស់នៃសញ្ញាដែលខូចយ៉ាងឆាប់រហ័ស ប្រព័ន្ធកំណត់លក្ខណៈបានត្រឹមត្រូវទាំងស្រទាប់ខាងក្រោមដែលមានអាយុកាលខ្លី (សារធាតុ doped យ៉ាងខ្លាំង ជាមួយនឹងអាយុកាលចាប់ពីជាច្រើនទៅរាប់សិប nanoseconds) និងស្រទាប់ epitaxial អាយុកាលវែង (រាប់សិបទៅរាប់រយ nanoseconds) ។
Fig.5 ការធ្វើផែនទីពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិចនៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម SiC ។ (ក) ការធ្វើផែនទីពេញមួយជីវិតទទួលបានក្រោមការរំភើបចិត្ត 355 nm ។ (b) ការប្រៀបធៀប kinetics បំបែកនៅ Plot1 (កណ្តាល) និង Plot2 (គែម) ។ បើប្រៀបធៀបទៅនឹងតំបន់កណ្តាលដែលមិនមានពិការភាព តំបន់គែមដែលសម្បូរដោយពិការភាពបង្ហាញអាយុកាលនៃក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិចខ្លីជាង។
០៤ | ការពង្រីករូបភាពមីក្រូទស្សន៍ដែលមានគុណភាពបង្ហាញខ្ពស់ជ្រុលសម្រាប់ការមើលឃើញពិការភាព
TAU-9000HR មិនត្រឹមតែដំណើរការរូបភាពម៉ាក្រូស្កុបពេញ wafer ប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែថែមទាំងផ្តល់នូវសមត្ថភាពពិសេសខ្ពស់សម្រាប់កំណត់លក្ខណៈតំបន់មីក្រូទស្សន៍ ដោយសម្រេចបាននូវដំណោះស្រាយទំហំចុះដល់ 0.9 μm។ លទ្ធផលនៃការថតរូបបញ្ជាក់ថាទម្រង់គុណភាពបង្ហាញខ្ពស់នេះដោះស្រាយបញ្ហាគ្រីស្តាល់យ៉ាងច្បាស់នៅក្នុងស្រទាប់ epitaxial រួមទាំងការផ្លាស់ទីលំនៅនៃខ្សែស្រឡាយ (TDs) និងកំហុសជង់ (SFs)—ការផ្តល់ភស្តុតាងផ្ទាល់ និងវិចារណញាណសម្រាប់ការកំណត់ប្រភពពិការភាព និងការសិក្សាយន្តការ។
រូបភាពទី 6 រូបភាពពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិចដែលមានគុណភាពបង្ហាញខ្ពស់។ (a) និង (b) ការគូសផែនទីពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិចដែលមានគុណភាពបង្ហាញខ្ពស់ពីតំបន់ផ្សេងគ្នា ដោះស្រាយយ៉ាងច្បាស់នូវកំហុសជង់ (SFs) និងការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់ខ្សែស្រឡាយ (TDs ដែលលេចឡើងជាលក្ខណៈពិសេសដូចចំណុច)។ (គ) និង (ឃ) កាយវិភាគសាស្ត្របំបែកដែលត្រូវគ្នានៅចំណុចដែលបានជ្រើសរើស។ តំបន់ដែលទទួលរងផលប៉ះពាល់មានអាយុកាលខ្លីជាងតំបន់ដែលគ្មានពិការភាព។
០៥ | ម៉ូឌុលការពារគំរូពីរសម្រាប់សម្ភារៈរសើប
ដើម្បីការពារការជ្រៀតជ្រែកពីបរិស្ថានជាមួយនឹងលទ្ធផលរង្វាស់ ប្រព័ន្ធផ្តល់ជម្រើសម៉ូឌុលឯករាជ្យពីរ៖ បន្ទប់បន្សុទ្ធអាសូត និងបន្ទប់សំណាកបូមធូលី។ ការវាស់វែងដែលធ្វើឡើងនៅក្នុងបរិយាកាសឧស្ម័នអសកម្ម ឬសុញ្ញកាស មានប្រសិទ្ធភាពរក្សាលក្ខខណ្ឌផ្ទៃគំរូ ដោយធានានូវភាពស្មោះត្រង់នៃទិន្នន័យខ្ពស់ និងអាចធ្វើម្តងទៀតបានល្អប្រសើរ។
០៦ | Wide-Temperature-Range Variable-Temperature Module សម្រាប់ការសិក្សាអំពីយន្តការ
ម៉ូឌុលសីតុណ្ហភាពអថេររួមបញ្ចូលគ្នា ដែលលាតសន្ធឹងសីតុណ្ហភាពក្នុងបន្ទប់ដល់ 200°C គាំទ្រការវិភាគពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនអាកាសចរណ៍ភាគតិចដែលពឹងផ្អែកលើសីតុណ្ហភាព ដោយផ្តល់នូវការយល់ដឹងយ៉ាងសំខាន់ចំពោះយន្តការផ្សំឡើងវិញ និងលក្ខណៈនៃស្ថានភាពអន្ទាក់។
Fig.7 ការវាស់វែងពេញមួយជីវិតរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិចនៅសីតុណ្ហភាពខុសៗគ្នា។ ក) វាស់សីតុណ្ហភាពក្នុងបន្ទប់។ ខ) ការវាស់វែងនៅ 175 ° C ។ epitaxial wafer បង្ហាញអាយុកាលសេវាកម្មរបស់ជនជាតិភាគតិចយូរជាងនៅសីតុណ្ហភាពកើនឡើង (175 ° C) បើប្រៀបធៀបទៅនឹងលក្ខខណ្ឌសីតុណ្ហភាពបន្ទប់។
អនុវត្តតាម Time-Tech Spectra ដើម្បីបន្តធ្វើបច្ចុប្បន្នភាពលើបច្ចេកវិទ្យាត្រួតពិនិត្យដ៏ទំនើប និងការអភិវឌ្ឍន៍ផលិតផល។