| Verfügbarkeit | |||||||||
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| TA-AUTO und TA-MINI sind transiente Absorptionsspektrometer zur Untersuchung photoinduzierter elektronischer Übergänge und der Dynamik angeregter Zustände in verschiedenen Materialien. TA-AUTO: Deckt einen breiten Spektralbereich von Ultraviolett (UV) über sichtbares und nahes Infrarot (NIR) bis hin zu mittlerem Infrarot (MIR) ab. TA-MINI: Deckt einen breiten Spektralbereich von Ultraviolett (UV) bis sichtbar ab.
Unterstützt Zeitauflösungen von Femtosekunden bis Mikrosekunden. Diese Systeme können in ein Mikroskopiemodul integriert werden, um
eine transiente Absorptionsspektroskopie mit hoher räumlicher Auflösung zu erreichen.
Darüber hinaus können diese Systeme eine Hochgeschwindigkeits-CMOS-Flächenkamera integrieren, um eine räumliche Defektkartierung und die
Charakterisierung der Trägerdiffusion und -mobilität zu ermöglichen. Laserquellen mit hoher Wiederholrate können mit Hochgeschwindigkeitsdetektoren erweitert werden, um die Nachweisempfindlichkeit zu erhöhen und eine Nachweisgrenze von nur ≤10 -5 OD zu erreichen. |
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Produktmerkmale
Multimodus-Mehrbereichserkennung: Ausgestattet mit den Modi Transmission, Reflexion und Rückerregung. Das Detektionsspektrum deckt UV- bis NIR-Banden ab, eignet sich für verschiedene Proben, einschließlich Tetracen-Dimeren und CdSe-Quantenpunkten, und liefert hervorragende Leistung im gesamten UV-NIR-Bereich.
Hohe Auflösung: Zeitliche Auflösung ≤1,5×Femtosekunden-Laserpulsbreite; Räumliche Auflösung ≤1μm (Mikroskopdynamik-Bildgebungsmodul). Ermöglicht die präzise Erfassung transienter Prozesse und unterstützt Studien zur Ladungsträgermigration in der Photokatalyse und in Perowskit-Solarzellen.
Automatisierung und Intelligenz: Die vollautomatische Umschaltung/Kalibrierung des optischen Pfads sorgt für Betriebsstabilität. Integrierte Software zur Datenerfassung/-analyse verbessert die experimentelle Effizienz.
Hohe Erweiterbarkeit: Das modulare Design ermöglicht flexible Konfigurations-Upgrades.
Spezifikationen
Hauptsächlich
Zeitaufgelöstes Mikro-Bildgebungsmodul
| Modus | Mikrospektroskopische Erfassung/Weitfeld-TA-Bildgebung/Trägerdiffusionsbildgebung |
| Räumliche Auflösung | ≤1 μm |
| Wellenlängenbereich | 400-800 nm |
| Genauigkeit der Carrier-Migration | 100 nm |
Nanosekunden-TA-Upgrade-Modul
| Modus | Umschaltbare Transmission/Reflexion | |
| Spektraler Erfassungsbereich | 360-1700 nm | |
| Zeitfenster | ≤ 450 μs | |
| Zeitauflösung | 1 ns | |
| Maximale Erkennungsempfindlichkeit | ≤ 0,1 mOD | |
| NS-SC-Laser | Spektralbereich | 350-1800 nm |
| Impulsbreite | ~800 PS | |
| Wiederholungsrate | 2 kHz | |
| Leistungsstabilität | ±1 % | |
| Gesamte durchschnittliche optische Leistung | >5 mW | |
Elektrisches Erregermodul
| Maximale Spannung | ±5 V(±10 V) |
| Impulsbreite | 6 ns - 999,99 s |
| Wiederholungsrate | 1 μHz - 80 MHz |
| Anstiegszeit des elektrischen Impulses (0-5 V) | ≤5 ns (Standard), optional ≤2 ns |
Anwendungsbeispiele für ultraschnelle transiente Absorption
UV-Bereichsdaten
Beispielexperiment
| Probe | Perowskit-Dünnschicht |
| Anregungswellenlänge |
405 nm |
| Sondenwellenlänge | UV |

Sichtbare Reichweitendaten
Beispielexperiment
| Probe | Ni-TPA |
| Anregungswellenlänge |
370 nm |
| Sondenwellenlänge | Sichtbar |

NIR-Bereichsdaten
Beispielexperiment
| Probe | Graphit |
| Anregungswellenlänge |
495 nm |
| Sondenwellenlänge | NIR |

Mikroübertragung TA
Beispielexperiment
| Probe | Einlagiges WS 2 (Substrat: Saphir) |
| Anregungswellenlänge |
515 nm |
| Sondenwellenlänge | Sichtbar |

Mikroreflexion TA
Beispielexperiment
| Probe | Multilayer WS 2 (Substrat: Si) |
| Anregungswellenlänge |
515 nm |
| Sondenwellenlänge | Sichtbar |

Weitfeld-TA-Bildgebung
Beispielexperiment
| Probe | Monoschicht WS2 |
| Anregungswellenlänge |
515 nm |
| Sondenwellenlänge | 610 nm |

Nahinfrarot-Bildgebung
Beispielexperiment
| Probe | WS2 |
| Anregungswellenlänge |
515 nm |
| Sondenwellenlänge | 900 nm |

Datendiagramm zur Carrier-Migration
Beispielexperiment
| Probe | Kupferfluoroxytitanat vom Perowskit-Typ |
| Anregungswellenlänge |
650 nm |
| Sondenwellenlänge | 800 nm |
