Spezifikationen
| Lasertyp |
Ti:Saphir-Laser |
Yb-basierte Laser |
| Spektralbereich |
280 - 380 nm |
350 - 500 nm |
| 320 - 650 nm |
480 - 950 nm |
| 420 - 800 nm |
1100 - 1650 nm |
| 850 - 1500 nm |
-- |
| Modus |
Transmission/Reflexion/Rückseitenanregung |
| Zeitfenster |
8 ns |
| Empfindlichkeit |
≤10 -5 Außendurchmesser |
| IRF |
≤ 1,5-fache Impulsbreite |
| Automatisierungssystem |
Vollautomatische Umschaltung und Ausrichtung des optischen Pfades |
| Probenhalter |
Lösung, Film und Pulver |
| Externe Feldsteuerung |
niedrige Temperaturen, hoher Druck, Magnetfeld und andere kundenspezifische Anforderungen |
| Software |
Datenerfassung, Datenanalyse und -anpassung und mehr |
Mikroskopisches Kinetik-Bildgebungsmodul
| Modus |
Mikrospektroskopische Erfassung/Weitfeld-TA-Bildgebung/Bildgebung der Trägermigration |
| Räumliche Auflösung |
≤1 μm |
| Wellenlängenbereich |
400-800 nm |
| Genauigkeit der Carrier-Migration |
100 nm |
Nanosekunden-TA-Modul
| Spektraler Erfassungsbereich |
380–950 nm; 1100-1600 nm |
| Zeitfenster |
≤450 μs (erweiterbar auf ms) |
| Zeitauflösung |
≤ 1 ns |
Weitere erweiterbare Optionen
| MIR-Erfassungsbereich |
2-12 μm |
| Zeitergebnis des TCSPC-Moduls |
Zeitauflösung ≤100 ps |
| Ultraschnelles Fluoreszenzmodul mit Zeitauflösung |
≤1,5-fache Pulsbreite |
| Winkelauflösungsmodul |
Erweiterbar für Winkelauflösungserkennung |
