高精度 PL/EL 強度、発光分光法、時間分解 PL、PLQE、QFLS、準 JV 測定を含む多機能イメージング
高解像度光電流/光電圧イメージング
オプションのレーザー/サンプル スキャン
高電圧および低温モジュールとの互換性
データ収集と分析の両方のための統合制御ソフトウェア
高解像度光電流/光電圧イメージング
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導入
高精度PL/EL強度、発光分光法、時間分解PL、PLQE、QFLS、準JV測定などの多機能イメージング
高解像度の光電流/光電圧イメージング
オプションのレーザー/サンプルスキャン
高電圧および低温モジュールとの互換性
データ収集と分析の両方を行う統合制御ソフトウェア
仕様
検知機能
| 単接合太陽電池 | 真の JV、Suns-PL (擬似 JV)、Voc、Jsc、MPP、PL/TRPLPL 強度/寿命、iVoc、PCE、FF、Rs、PLQE、QFLS、光電圧/光電流イメージング |
タンデム型太陽電池 | タンデム太陽電池の真の JV 特性、サブセル Suns-PL、擬似 JV、Voc、Jsc、MPP、PL/TRPL、ELPL 分光法/強度/寿命イメージング、iVoc、PCE、FF、Rsh、PLQE、QFLS イメージング |
光源構成 (1)
| 波長 | LED光源 | 450 nm、532 nm、850 nm、900 nm(標準構成は450および850 nm) |
| レーザー光源 | 405nm、450nm、532nm、780nm、808nm、850nm | |
| 光強度ダイナミックレンジ | LED光源 | 0.01～1.5寸 |
対応サンプル
| サイズ | ≤2×2cm2 |
| タイプ | シリコン/ペロブスカイト/シリコン-ペロブスカイトタンデム太陽電池と薄膜サンプル |
その他のパラメータ
| スペクトル解像度 | 0.14 nm @ 300 mm 焦点距離モノクロメータ、@1200 溝/mm 回折格子、@25 μm CCD ピクセル サイズ | |
| 単一スペクトルの取得時間 | 5ミリ秒(最小) | |
| 空間解像度 | 広視野イメージング | ａ．高解像度モード: 1.5 μm/ピクセル、イメージング領域 < 7 mm²b。標準解像度モード: 8 μm/ピクセル、イメージング領域 < 80 mm²c。 PL/EL強度、iVoc、PCE、FF、Rs、Rshなどのイメージングに使用されます。 |
| レーザー共焦点走査イメージング | ａ．最大 260 nm の空間分解能 (100 倍油浸) b.対物レンズ: 5×、10×、20×、40×、50×、60×、100× 空気/油浸漬c。 PLスペクトルイメージング、PLQE、QFLSイメージングに使用 | |
| TCSPCモジュール | IRF | ≤ 230ps |
| スペクトル範囲 | 185～870nm | |
| レーザー光源 | 375、405 nm ピコ秒レーザー | |
アプリケーション
