Please Choose Your Language
- บ้าน
- สินค้า
- การดูดซึมชั่วคราว
- สเปกโทรสโกปีเรืองแสง
- ออปติคอลที่ไม่ใช่เชิงเส้น
- กล้องความเร็วสูง
- เลเซอร์
- การตรวจสอบด้วยแสงของเซมิคอนดักเตอร์
- DISPEC-9000 เวเฟอร์พื้นผิว SiC
- DISPEC-8000 SiC Substrate/เมล็ดพืช/ลูกเปตอง
- TAU-9000 SiC Epi Carrier การถ่ายภาพตลอดอายุการใช้งาน
- ระบบตรวจจับความละเอียดสูงพิเศษ SiC EPI-Wafers SR-9000
- SP-1030 การวิเคราะห์ประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ Perovskite
- ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องแบบอินไลน์แบบรวมสำหรับไฟฟ้าโซลาร์เซลล์เพอรอฟสกี้
- ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องแบบออฟไลน์แบบบูรณาการสำหรับไฟฟ้าโซลาร์เซลล์เพอรอฟสกี้
- SN-9000 Β-Ga₂O₃ ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องของพื้นผิวและเอพิแทกซี
- Y300 สเปกโตรมิเตอร์การดูดซึมอัตโนมัติสำหรับเวเฟอร์ SiC กึ่งฉนวน
- ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องของพื้นผิว GaN
- ระบบตรวจสอบข้อบกพร่องของพื้นผิว SL-9000 InP / GaAs
- ข่าวสารและบล็อก
- ชิ้นส่วนและส่วนประกอบ
- การสนับสนุนและการติดต่อ
- เกี่ยวกับเรา
